Unsa ang kahulugan sa baterya sa TOPCon?
Ang tibuok nga ngalan sa TOPCon kay Tunnel Oxide Passivating Contacts, nga gihubad nga Tunneling Oxide Passivated Contacts, usa ka N-type silicon wafer cell technology nga gisugyot niadtong 2013. Ang mga TOPCon cell, sama sa Tunneling Oxide Passivated Contacts solar cells, gidisenyo aron mapaayo ang efficiency sa solar cell pinaagi sa pagsulbad sa problema sa selective passivation sa mga carrier sa cell.
Ang istruktura sa atubangan nga nawong sa TOPCon cell ug ang naandan nga N-type solar cell parehas ra, ang pangunang kalainan anaa sa likod nga bahin sa cell aron maandam ang usa ka layer sa ultra-thin silicon oxide, ug dayon usa ka nipis nga layer sa doped silicon deposition, ang duha magkauban nga nagporma og passivated contact structure, nga epektibong nagpakunhod sa surface composite ug metal contact composite.
Tungod sa maayong epekto sa passivation sa ultra-thin silicon oxide ug heavy doped silicon film, ang surface energy bands sa silicon wafer mo-bending, nga moporma og field passivation effect, nga moresulta sa pagsaka sa tsansa sa electron tunneling, mokunhod ang contact resistance, ug sa katapusan mopausbaw sa conversion efficiency.
Ngano nga gipulihan sa TOPCon ang teknolohiya sa PERC?
Sa tuig 2023, ang industriya sa PV nakasaksi og usa ka importanteng kalambuan uban sa pagdugang og kapin sa 400GW nga bag-ong kapasidad sa produksiyon sa TOPCon. Gilauman nga ang teknolohiya sa TOPCon cell molabaw sa tradisyonal nga PERC aron mahimong bag-ong mainstream nga teknolohiya sa 2024. Sa termino sa produksiyon, gilauman nga ang produksiyon sa TOPCon moabot sa mga 100GW karong tuiga, nga mokabat sa 20%-30% sa kinatibuk-ang produksiyon sa PV cell. Isip labing barato nga ruta sa N-type cell, ang mga TOPCon cell giisip nga taas og kalidad ug limitado ang kapasidad sa produksiyon, ug ang sitwasyon sa suplay nga molapas sa panginahanglan magpadayon sa tibuok tuig. Uban sa padayon nga pag-uswag sa kahusayan sa baterya sa TOPCon, ang premium nga wanang sa baterya sa N-type TOPCon gilauman nga molapad pa, nga adunay positibo nga epekto sa pag-uswag sa negosyo sa mga may kalabutan nga kompanya.
Ang N-type nga baterya wala pa makaamgo sa pangunang isyu sa pagpalapad sa produksiyon sa dako nga sukod mao nga ang kahusayan niini ug ang mga P-type nga baterya wala magbukas ug dakong kalainan tali sa gasto sa non-silicon nga 30% -40% nga mas taas kaysa sa PERC nga baterya. Ang kahusayan sa PERC nga baterya hapit na sa kinutuban, ang espasyo aron makunhuran ang gasto sa espasyo limitado, apan ang kahusayan sa TOPCon nga baterya aron mouswag adunay dako gihapon nga potensyal. Sumala sa datos sa PV Infolink, ang kasamtangang gasto sa non-silicon nga mga selula sa TOPCon hapit na sa $0.3 matag watt, kon itandi sa gasto sa dagkong mga selula sa PERC nga tali sa $0.21-0.23 matag watt, ug aduna gihapoy kalainan. Bisan pa, sa sunod nga padayon nga mga paningkamot, ang gasto sa produksiyon sa mga selula sa TOPCon anam-anam nga moduol sa lebel sa mga selula sa PERC.
Unsa ang mga bentaha sa baterya sa TOPCon?
1. Ang bentaha sa passivation: ang performance sa surface passivation nagdepende sa chemical passivation ug field passivation, ang thermal growth sa SiO2 adunay maayo kaayong chemical passivation ability. Ang grabeng pag-doping sa polysilicon mahimong maka-induce sa energy band sa silicon nga moliko, nga moresulta sa pag-agregar sa majority carriers ug pagkahurot sa minority carriers sa interface, nga mokunhod sa composite ug mo-perform sa field passivation.
2. Ang bentaha sa metal contact composite: ang metal contact composite nahimong bottleneck nga naglimite sa kahusayan sa conventional structure sa solar cell. Ang industriyalisasyon sa metallization kasagaran screen printing human sa high temperature sintering, ang high temperature sintering process sa metal paste mo-"etch" sa poly-Si aron maporma ang "puncture" (Spiking), nga makaguba sa passivation sa contact structure, nga moresulta sa metal contact area sa J0c nga mas taas sa metal contact area kaysa sa passivated area. Apan ang p + poly ug n + poly metal contact composite, bisan kung ang "puncture" makaguba sa passivation contact structure sa case, mahimo kining mas ubos kaysa sa conventional emitter/back field.
3. Ang bentaha sa metal contact resistivity: dugang sa metal contact composite, ang metal-semiconductor contact resistivity (ρc) kritikal usab sa performance sa device sa crystalline silicon solar cells, ang metal-semiconductor aron maporma ang maayong ohmic contact aron makatabang sa pagpakunhod sa resistance loss ug pagpalambo sa fill factor.
