O le ā le uiga o le maa TOPCon?
O le igoa atoa o le TOPCon o le Tunnel Oxide Passivating Contacts, o lona uiga o le Tunneling Oxide Passivated Contacts, o se tekinolosi N-type silicon wafer cell na fautuaina i le 2013. O sela TOPCon, e pei o sela solar Tunneling Oxide Passivated Contacts, ua mamanuina e faʻaleleia atili ai le lelei o le solar cell e ala i le foia o le faʻafitauli o le selective passivation o mea e feaveaʻi i totonu o le sela.
E tutusa le fausaga o le pito i luma o le sela TOPCon ma le fausaga masani o le sela solar ituaiga-N, o le eseesega autu o le pito i tua o le sela e saunia ai se vaega manifinifi o le silicon oxide, ona sosoo ai lea ma se vaega manifinifi o le doped silicon deposition, o nei mea e lua e fausia ai se fausaga fesoʻotaʻi passivated, ma faʻaitiitia ai le faʻapipiʻiina o le pito i luga ma le uʻamea.
Ona o le lelei o le aafiaga o le passivation o le silicon oxide manifinifi ma le silicon film ua matuā fa'apipi'iina, e mafua ai ona punou vaega o le malosi o le silicon wafer, ma fausia ai se aafiaga o le field passivation, e fa'ateleina tele ai le avanoa o le electron tunneling, e fa'aitiitia ai le tete'e i feso'ota'iga, ma iu ai ina fa'aleleia atili ai le lelei o le liua.
Aiseā ua suia ai e le TOPCon le tekinolosi PERC?
I le 2023, na molimauina ai e le alamanuia o le PV se alualu i luma taua i le faaopoopoina o le silia ma le 400GW o le gafatia fou o le gaosiga o le TOPCon. E faamoemoe o le a sili atu le tekinolosi o le sela TOPCon nai lo le PERC masani ma avea ma tekinolosi fou autu i le 2024. I le tulaga o le gaosiga, e faamoemoe o le a oo atu le gaosiga o le TOPCon i le tusa ma le 100GW i le tausaga nei, e aofia ai le 20%-30% o le aofaiga atoa o le gaosiga o sela PV. I le avea ai ma auala sili ona taugofie o sela N-type, o sela TOPCon ua manatu o ni sela e maualuga le tulaga lelei ma e seasea le gafatia o le gaosiga, ma o le tulaga o le sapalai e sili atu i le manaoga o le a tumau pea i le tausaga atoa. Faatasi ai ma le faaleleia atili pea o le lelei o le lelei o le maa TOPCon, e faamoemoe o le a faalauteleina atili le avanoa o maa N-type TOPCon, lea o le a i ai se aafiaga lelei i le tuputupu ae o pisinisi a kamupani talafeagai.
E le'i iloa e le maa eletise ituaiga-N le mataupu autū o le fa'alauteleina o le gaosiga tele, o lona lelei ma maa eletise ituaiga-P e le'i tatalaina ai se va tele i le va o le tau o le e le o le silicon e 30% -40% maualuga atu nai lo le maa eletise PERC. Ua latalata i le taualuga le lelei o le maa eletise PERC, ua fa'atapula'aina le avanoa e fa'aitiitia ai le tau o le avanoa, ae o le fa'aleleia atili o le lelei o le maa eletise TOPCon e tele lava lona gafatia. E tusa ai ma fa'amaumauga a le PV Infolink, o le tau o le taimi nei o sela eletise TOPCon e le o le silicon e latalata i le $0.3 i le watt, pe a fa'atusatusa i le tau o sela PERC tetele i le va o le $0.21-0.23 i le watt, ma o lo'o i ai pea se va. Peita'i, fa'atasi ai ma taumafaiga faifai pea, o le tau o le gaosiga o sela TOPCon o le a faasolosolo malie ona o'o atu i le tulaga o sela PERC.
O a ni fa'amanuiaga o le maa TOPCon?
1. Le lelei o le passivation: o le faʻatinoga o le surface passivation e faʻalagolago tele lava i le chemical passivation ma le field passivation, o le tuputupu aʻe o le SiO2 i le vevela e sili ona lelei le chemical passivation ability. O le tele o le doping i le polysilicon e mafai ona faʻaosofia ai le energy band o le silicon e punou, ma iʻu ai i le faʻaputuina o le tele o avefeʻau ma le faʻaitiitia o le minority avefeʻau i le interface, faʻaitiitia ai le composite ma faia le matafaioi o le field passivation.
2. O le lelei o le uʻamea faʻafesoʻotaʻi: o le uʻamea faʻafesoʻotaʻi e avea ma faʻalavelave e faʻatapulaʻaina ai le lelei o le fausaga masani o le solar cell. O le faʻapisinisiina o le metallization e masani lava o le screen printing pe a uma le sintering i le vevela maualuga, o le faʻagasologa o le sintering i le vevela maualuga o le a "etch" ai le uʻamea paste poly-Si e fausia ai se "puncture" (Spiking), e faʻaumatia ai le passivation o le fausaga faʻafesoʻotaʻi, ma mafua ai ona maualuga le vaega o le uʻamea o le J0c i le vaega o le uʻamea faʻafesoʻotaʻi nai lo le vaega ua passivated. Ae o le p + poly ma le n + poly metal contact composite, e tusa lava pe o le "puncture" o le a faʻaumatia ai le fausaga o le passivation o le case e mafai ona faʻaitiitia ai le uʻamea composite nai lo le emitter / back field masani.
3. O le lelei o le tete'e atu i le feso'ota'iga u'amea: e fa'aopoopo atu i le tu'ufa'atasiga o feso'ota'iga u'amea, o le tete'e atu i le feso'ota'iga u'amea-semiconductor (ρc) e taua tele fo'i i le fa'atinoga o le masini o sela la crystalline silicon, e fausia ai e le u'amea-semiconductor se feso'ota'iga ohmic lelei e fesoasoani e fa'aitiitia ai le gau o le tete'e ma fa'aleleia atili ai le fa'atumu.
