Năng lượng mặt trời đang thu hút sự chú ý như một nguồn năng lượng của tương lai trong thế hệ sản phẩm tiếp theo. HPBC là một trong những hướng phát triển công nghệ pin mặt trời. Pin HPBC có ưu điểm là thiết kế tiếp xúc mặt sau kết hợp với lớp phát xạ được thụ động hóa và công nghệ tiếp xúc thụ động mặt sau (PERC). Cấu trúc này thường tạo ra một lớp tiếp xúc thụ động ở mặt sau của pin để giảm sự che chắn phía trước và cải thiện khả năng hấp thụ ánh sáng.
Pin HPBC, tên đầy đủ là Hybrid Passivated Back Contact (HPBC), là công nghệ pin mặt trời hiệu suất cao thế hệ mới.
Đặc điểm cấu trúc: Pin HPBC kết hợp lớp phát xạ thụ động và lớp tiếp xúc thụ động mặt sau (PERC) sử dụng thiết kế tiếp xúc mặt sau, cấu trúc này thường được hình thành ở mặt sau của lớp tiếp xúc thụ động của pin để giảm hiện tượng che khuất mặt trước, cải thiện khả năng hấp thụ ánh sáng. Hiệu quả thụ động hóa: Lớp thụ động hóa của pin HPBC giúp giảm sự kết tụ bề mặt và tăng điện áp mạch hở (Voc) của pin.
Đặc điểm kỹ thuật: Công nghệ tế bào HPBC kết hợp công nghệ TOPCon và IBC để di chuyển tất cả các đường lưới kim loại của tế bào, chịu trách nhiệm thu thập và vận chuyển các chất mang, ra phía sau mô-đun, giúp mặt trước của tế bào không bị cản trở bởi các đường lưới, từ đó cải thiện khả năng sử dụng ánh sáng và hiệu suất chuyển đổi quang điện.
Ưu điểm kỹ thuật: Pin HPBC có đặc điểm là khả năng hấp thụ ánh sáng mạnh, hiệu suất chuyển đổi cao, truyền tải điện ổn định, sản phẩm đẹp và công nghệ tiên tiến, đáng tin cậy.
Kịch bản ứng dụng: Pin HPBC rất phù hợp cho các kịch bản điện mặt trời phân tán, đặc biệt là BIPV (Điện mặt trời tích hợp vào tòa nhà), có thể kết hợp hoàn hảo giữa tính thẩm mỹ của các mô-đun BC và nghệ thuật kiến trúc.
Pin TBC (TOPCon Back Contact), tên đầy đủ là pin kết hợp công nghệ TOPCon và IBC, còn được gọi là pin POLO-IBC. Đặc điểm cấu trúc: Pin TBC sử dụng lớp oxit đường hầm (TOPCon) làm lớp tiếp xúc thụ động và áp dụng nó vào cấu trúc tiếp xúc phía sau. Thiết kế này tận dụng chất lượng thụ động cao và đặc tính tiếp xúc tốt của công nghệ TOPCon.
Tiềm năng hiệu suất: Pin TBC có tiềm năng hiệu suất cao nhờ đặc tính thụ động hóa tuyệt vời và thiết kế tiếp xúc phía sau. Quá trình công nghiệp hóa: Hiện nay, công nghệ pin TBC đang trong giai đoạn nghiên cứu phòng thí nghiệm, và vẫn còn nhiều vấn đề cần giải quyết để thúc đẩy quá trình công nghiệp hóa. Trong ngắn hạn, công nghệ pin TBC có triển vọng phát triển rộng hơn, bởi vì quy trình TOPCon đã hoàn thiện hơn quy trình HJT, chi phí thấp hơn, và dây chuyền sản xuất TBC tương thích một phần với dây chuyền sản xuất TOPCon.
Tiềm năng ứng dụng: Các tế bào TBC có thể được ứng dụng không chỉ trên chất nền silicon tinh thể loại N mà còn trên chất nền loại P, điều này có tiềm năng lớn trong việc cải thiện hiệu suất chuyển đổi quang điện và giảm chi phí.
Pin mặt trời HBC (Heterojunction Back Contact) Pin HBC, tức là pin silicon tinh thể tiếp xúc mặt sau dị thể, là sự kết hợp giữa công nghệ tiếp xúc mặt sau dị thể (HJT) và công nghệ pin mặt trời hiệu suất cao chỉ số chéo (IBC).
Đặc điểm cấu trúc: Pin HBC sử dụng công nghệ dị thể kết hợp với cấu trúc tiếp xúc phía sau. Để thu thập điện tích hiệu quả, cấu trúc này thường tạo thành một lớp dị thể ở mặt sau của pin.
Tiềm năng hiệu suất cao: Pin HBC được coi là ứng cử viên sáng giá cho pin mặt trời hiệu suất cao nhờ đặc tính dị thể tuyệt vời và thiết kế tiếp xúc mặt sau. Pin hpbc, tbc và hbc đều đại diện cho những tiến bộ trong công nghệ pin quang điện, với các hướng đi công nghệ khác nhau để tăng hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin. Về hiệu suất chuyển đổi, pin TBC và HBC vượt trội hơn công nghệ IBC cổ điển. Pin HBC kết hợp các đặc tính thụ động hóa bề mặt của pin HJT với ưu điểm của lớp chắn không kim loại ở mặt trước của pin IBC, đồng thời có ưu điểm kép là dòng ngắn mạch cao và điện áp hở mạch cao, và đại diện cho hiệu suất chuyển đổi quang điện cao nhất đối với pin mặt trời silicon tinh thể.
