تحت استراتژی «کربن دوگانه»، صنعت فتوولتائیک (PV) چین به نوآوریهای چشمگیری دست یافته و توسعه فناوریهای سلولی با راندمان بالا و سناریوهای کاربردی متنوع را تقویت کرده است. در سال 2024، بخش فتوولتائیک شاهد موجی از فناوریهای پیشرفته مانند HJT، BC و پروسکایت خواهد بود که نویدبخش دوران جدیدی از پیشرفت فناوری است.
فناوری HJT
فناوری اتصال ناهمگون (HJT) راندمان استثنایی، تولید برق دوطرفه، ضرایب دمای توان پایین و کاهش تخریب را ارائه میدهد. در سالهای اخیر، پیشرفتها در مواد بالادستی، هزینهها را به طور قابل توجهی کاهش داده است. به عنوان مثال، عرضه پایدار خمیر مس با پوشش نقره توسط KEEs نگرانیهای مربوط به هزینه را برطرف کرده است، در حالی که رهبران صنعت از فناوریهای ثبت اختراع شده مانند سلولهای 0BB و ویفرهای سیلیکونی فوق نازک برای تولید انبوه استفاده میکنند. تحلیلگران پیشبینی میکنند که رشد HJT صنعت PV را تغییر شکل خواهد داد، باعث ارتقاء ظرفیت و تقویت رقابتپذیری جهانی آن خواهد شد.
فناوری بی سی
سلولهای تماس از پشت (BC) به عنوان اوج کارایی سیلیکون کریستالی در نظر گرفته میشوند. طراحی جلویی بدون شبکه آنها، هم زیباییشناسی و هم خروجی انرژی را افزایش میدهد. فناوری BC با انواع دیگر سلولها مانند TOPCon و HJT ادغام میشود و کارایی را بیشتر افزایش میدهد. رهبران بازار مانند LONGi و Aiko محصولات BC را عرضه کردهاند و کارشناسان پیشبینی میکنند سهم بازار BC به 30 تا 40 درصد برسد. این فناوری آماده است تا از کاربردهای متنوع و رشد پایدار صنعت پشتیبانی کند.
فناوری پروسکایت
پروسکایت به عنوان رهبر فناوری نسل سوم فتوولتائیک شناخته میشود و دارای راندمان بالا، عملکرد قوی در نور کم و فرآیندهای ساده است. ساختارهای پشت سر هم آن نویدبخش راندمان تبدیل بیش از ۴۵٪ هستند. پیشرفتهای اخیر در پایداری، نقطه عطفی مهم را نشان میدهد. انتظار میرود تا سال ۲۰۲۷، پروسکایت به تولید در مقیاس بزرگ دست یابد و پتانسیل خود را در بخشهایی مانند اینترنت اشیا، خودروهای برقی و هوافضا آزاد کند و در عین حال گذار به انرژیهای تجدیدپذیر را تسریع بخشد.
این فناوریهای پیشرفته، آیندهای امیدوارکننده برای صنعت فتوولتائیک (PV) را نشان میدهند و مسیرهای نوآورانهای را برای توسعه پایدار و با کیفیت بالا ارائه میدهند.
