Kiuj estas la tendencaj teknologioj en fotovoltaiko en la lastaj jaroj?
Diamanta Drata Tranĉa Teknologio
La tranĉprocezo por kristala silicia materialo reprezentas signifan parton de ne-siliciaj kostoj en la fotovoltaika industrio. Diamantdrata tranĉado estas nova tranĉmetodo, kiu uzas diamant-kovritan draton por tranĉi siliciajn obletojn je alta rapideco. Kompare kun tradicia ŝlima tranĉado, diamantdrato estas pli kostefika. Nuntempe, monokristala silicio plene adoptis ĉi tiun teknologion, kaj la transiro de ŝlima al diamantdrato por multkristala silicio akceliĝas.
PERC-Ĉeloj (Pasivigita Emitoro kaj Malantaŭa Ĉela Teknologio)
La ĉefa distingilo de PERC-ĉeloj estas la pasiviga tavolo sur la malantaŭa surfaco, kiu reduktas elektronan rekombinadon kaj plibonigas lumreflekton. Antaŭ la fino de 2018, la tutmonda produktokapacito de PERC-ĉeloj estis ĉirkaŭ 70 GW, kun jara produktado superanta 55 GW. Oni projekcias, ke antaŭ 2019, la tutmonda PERC-kapacito proksimiĝos al 100 GW, konservante sian dominan pozicion en alt-efikecaj sunaj produktoj.
Teknologio "Diamanta Drato + Nigra Silicio"
Nigra silicia teknologio plibonigas lumsorbadon kaj plifortigas ĉelan efikecon per reduktado de surfaca reflektiveco per pliaj teksturigaj procezoj. Seka nigra silicia teknologio ofertas la plej altajn efikecgajnojn sed postulas grandan kapitalinveston. Malseka nigra silicio, kun pli malaltaj kostoj, ofertas efikecplibonigon de 0,3%-0,5% kaj gajnas popularecon.
Bifaciala Ĉela Teknologio
Bifacaj ĉeloj reprezentas gravan sukceson en la lastaj jaroj. Ĉi tiuj ĉeloj absorbas lumon de ambaŭ flankoj, pliigante la energirendimenton je 10%-25% depende de la mediaj kondiĉoj. La produktado de N-tipaj monokristalaj bifacaj ĉeloj kreskis en la lastaj jaroj.
MBB (Mult-Busbara) Teknologio
Ĉi tiu teknologio uzas 12 busbarojn, plibonigante kurentkolekton, reduktante internajn perdojn, kaj minimumigante ombradon, kio pliigas la modulan potencon je almenaŭ 5W. Ĝi ankaŭ reduktas la eblecon de mikrofendoj kaj plibonigas la rendimenton eĉ kiam okazas negravaj difektoj.
Ŝindĉela Teknologio
Ŝindĉelaj moduloj uzas tranĉitajn ĉelojn aranĝitajn dense kune, permesante 13% pli da ĉeloj en la sama areo. Ĉi tiu dezajno forigas la bezonon de lutado de rubandoj, reduktante rezistancperdojn kaj signife pliigante la eliran potencon.
Duontranĉita Ĉelteknologio
Duontranĉitaj ĉeloj reduktas kurentperdojn kaj plibonigas la potencon je proksimume 10W kompare kun plenĉelaj moduloj. Krome, duontranĉitaj moduloj funkcias pli malvarme, kun varmpunktoj ĉirkaŭ 25°C pli malaltaj ol iliaj plenĉelaj ekvivalentoj.
