Kādas ir tendences fotoelektrisko elementu jomā pēdējos gados?
Dimanta stieples griešanas tehnoloģija
Kristāliskā silīcija materiāla griešanas process veido ievērojamu daļu no bezsilīcija izmaksām fotoelektrisko elementu nozarē. Griešana ar dimanta stiepli ir jauna griešanas metode, kurā tiek izmantota ar dimantu pārklāta stieple, lai lielā ātrumā sagrieztu silīcija plāksnes. Salīdzinot ar tradicionālo slānekļa griešanu, dimanta stieple ir rentablāka. Pašlaik monokristāliskā silīcija ražošanā šī tehnoloģija ir pilnībā ieviesta, un pāreja no slānekļa uz dimanta stiepli daudzkristāliskā silīcija ražošanā paātrinās.
PERC šūnas (pasivēta emitera un aizmugurējo šūnu tehnoloģija)
PERC šūnu galvenā atšķirība ir pasivācijas slānis uz aizmugurējās virsmas, kas samazina elektronu rekombināciju un uzlabo gaismas atstarošanu. Līdz 2018. gada beigām globālā PERC šūnu ražošanas jauda bija aptuveni 70 GW, un gada produkcija pārsniedza 55 GW. Tiek prognozēts, ka līdz 2019. gadam globālā PERC jauda sasniegs 100 GW, saglabājot dominējošo pozīciju augstas efektivitātes saules enerģijas produktu jomā.
"Dimanta stieple + melns silīcijs" tehnoloģija
Melnā silīcija tehnoloģija uzlabo gaismas absorbciju un palielina šūnu efektivitāti, samazinot virsmas atstarošanos, izmantojot papildu teksturēšanas procesus. Sausā melnā silīcija tehnoloģija piedāvā vislielāko efektivitātes pieaugumu, taču tai nepieciešami ievērojami kapitālieguldījumi. Mitrais melnais silīcijs ar zemākām izmaksām piedāvā 0,3–0,5 % efektivitātes pieaugumu un iegūst arvien lielāku popularitāti.
Bifaciālā šūnu tehnoloģija
Bifaciālās šūnas ir ievērojams sasniegums pēdējos gados. Šīs šūnas absorbē gaismu no abām pusēm, palielinot enerģijas daudzumu par 10–25 % atkarībā no vides apstākļiem. N tipa monokristālisko bifaciālo šūnu ražošana pēdējos gados ir palielinājusies.
MBB (vairāku kopņu) tehnoloģija
Šī tehnoloģija izmanto 12 kopnes, uzlabojot strāvas savākšanu, samazinot iekšējos zudumus un minimizējot ēnojumu, kas palielina moduļa jaudu vismaz par 5 W. Tā arī samazina mikroplaisu iespējamību un uzlabo veiktspēju pat nelielu bojājumu gadījumā.
Šindeļu šūnu tehnoloģija
Šindeļu šūnu moduļos tiek izmantotas cieši kopā izvietotas sagrieztas šūnas, ļaujot vienā un tajā pašā laukumā izvietot par 13 % vairāk šūnu. Šī konstrukcija novērš nepieciešamību pēc lodēšanas lentēm, samazinot pretestības zudumus un ievērojami palielinot izejas jaudu.
Pusgrieztu šūnu tehnoloģija
Daļēji sagriezti elementi samazina strāvas zudumus un uzlabo jaudas izvadi par aptuveni 10 W, salīdzinot ar pilnšūnu moduļiem. Turklāt daļēji sagriezti moduļi darbojas vēsāk, to karstās temperatūras ir aptuveni par 25 °C zemākas nekā pilnšūnu moduļiem.
