မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း photovoltaic နည်းပညာများတွင် ခေတ်စားနေသော နည်းပညာများကား အဘယ်နည်း။
စိန်ဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းပညာ
ပုံဆောင်ခဲ ဆီလီကွန် ပစ္စည်းအတွက် လှီးဖြတ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်သည် PV လုပ်ငန်းတွင် ဆီလီကွန်မဟုတ်သော ကုန်ကျစရိတ်၏ များစွာသော အစိတ်အပိုင်းကို ကိုယ်စားပြုသည်။ စိန်ဝါယာကြိုး ဖြတ်တောက်ခြင်းသည် ဆီလီကွန်ဝေဖာများကို မြန်နှုန်းမြင့်ဖြင့် လှီးဖြတ်ရန် စိန်ဖြင့် အုပ်ထားသော ဝါယာကြိုးကို အသုံးပြုသည့် လှီးဖြတ်နည်းလမ်းသစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ရိုးရာ အရည်ကျဲ လှီးဖြတ်ခြင်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စိန်ဝါယာကြိုးသည် ပိုမိုကုန်ကျစရိတ် သက်သာသည်။ လက်ရှိတွင် monocrystalline silicon သည် ဤနည်းပညာကို အပြည့်အဝ လက်ခံကျင့်သုံးထားပြီး multicrystalline silicon အတွက် အရည်ကျဲမှ စိန်ဝါယာကြိုးသို့ ကူးပြောင်းခြင်းသည် အရှိန်မြှင့်လာနေသည်။
PERC ဆဲလ်များ (Passivated Emitter နှင့် Rear Cell နည်းပညာ)
PERC ဆဲလ်များ၏ အဓိကခြားနားချက်မှာ အနောက်မျက်နှာပြင်ရှိ passivation အလွှာဖြစ်ပြီး အီလက်ထရွန် ပေါင်းစပ်မှုကို လျှော့ချပေးပြီး အလင်းရောင်ပြန်ဟပ်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။ ၂၀၁၈ ခုနှစ်ကုန်တွင် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ PERC ဆဲလ် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်မှာ 70GW ဝန်းကျင်ရှိပြီး နှစ်စဉ်ထုတ်လုပ်မှု 55GW ကျော်ရှိပါသည်။ ၂၀၁၉ ခုနှစ်တွင် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ PERC စွမ်းရည်သည် 100GW နီးပါးရှိလာမည်ဟု ခန့်မှန်းထားပြီး မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်ကုန်များတွင် ၎င်း၏လွှမ်းမိုးမှုအနေအထားကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
"စိန်ဝါယာကြိုး + အနက်ရောင် ဆီလီကွန်" နည်းပညာ
အနက်ရောင်ဆီလီကွန်နည်းပညာသည် အလင်းစုပ်ယူမှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး နောက်ထပ်ဖွဲ့စည်းပုံလုပ်ငန်းစဉ်များမှတစ်ဆင့် မျက်နှာပြင်ရောင်ပြန်ဟပ်မှုကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် ဆဲလ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ ခြောက်သွေ့သော အနက်ရောင်ဆီလီကွန်နည်းပညာသည် အမြင့်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်အကျိုးအမြတ်များကို ပေးစွမ်းသော်လည်း သိသာထင်ရှားသော ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု လိုအပ်ပါသည်။ ကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးသော စိုစွတ်သော အနက်ရောင်ဆီလီကွန်သည် ၀.၃% မှ ၀.၅% စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ပေးပြီး လူကြိုက်များလာပါသည်။
မျက်နှာနှစ်ဖက်သုံးဆဲလ်နည်းပညာ
နှစ်ထပ်ဆဲလ်များသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း အဓိကတိုးတက်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤဆဲလ်များသည် နှစ်ဖက်စလုံးမှ အလင်းကို စုပ်ယူပြီး ပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေပေါ် မူတည်၍ စွမ်းအင်ထွက်ရှိမှုကို ၁၀% မှ ၂၅% အထိ မြှင့်တင်ပေးသည်။ N-type monocrystalline နှစ်ထပ်ဆဲလ်များ ထုတ်လုပ်မှုသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း တိုးချဲ့လာခဲ့သည်။
MBB (Multi-Busbar) နည်းပညာ
ဤနည်းပညာသည် ဘတ်စ်ကားဘား ၁၂ ခုကို အသုံးပြုထားပြီး လျှပ်စီးကြောင်းစုဆောင်းမှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေခြင်း၊ အတွင်းပိုင်းဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချခြင်းနှင့် အရိပ်ကျခြင်းကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေခြင်းဖြင့် မော်ဂျူးပါဝါကို အနည်းဆုံး 5W တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။ ၎င်းသည် မိုက်ခရိုအက်ကွဲခြင်းဖြစ်နိုင်ခြေကိုလည်း လျှော့ချပေးပြီး အသေးစားပျက်စီးမှုများဖြစ်ပေါ်သည့်တိုင် စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။
ရှန်ဂယ်လ်ဆဲလ်နည်းပညာ
ကြွေပြားချပ်ချပ်ဆဲလ်မော်ဂျူးများသည် တင်းကျပ်စွာအတူတကွစီစဉ်ထားသော အပိုင်းအစများကိုအသုံးပြုသောကြောင့် တူညီသောနေရာတွင် ဆဲလ် ၁၃% ပိုမိုရှိစေပါသည်။ ဤဒီဇိုင်းသည် ဂဟေဆက်ဖဲကြိုးများမလိုအပ်တော့ဘဲ ခုခံမှုဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချပေးပြီး အထွက်ပါဝါကို သိသိသာသာတိုးမြှင့်ပေးပါသည်။
တစ်ဝက်ဖြတ်ဆဲလ်နည်းပညာ
တစ်ဝက်ဖြတ်ဆဲလ်များသည် full-cell မော်ဂျူးများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက လက်ရှိဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချပေးပြီး ပါဝါထွက်ရှိမှုကို 10W ခန့် တိုးတက်စေပါသည်။ ထို့အပြင်၊ တစ်ဝက်ဖြတ်မော်ဂျူးများသည် ပိုမိုအေးမြစွာလည်ပတ်ပြီး hotspot အပူချိန်များသည် full-cell မော်ဂျူးများထက် 25°C ခန့် လျော့နည်းပါသည်။
