ဆိုလာဆဲလ်ပစ္စည်းများနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများမိတ်ဆက်ခြင်း

ဦးဆောင်သန့်ရှင်းသောစွမ်းအင်ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုအနေဖြင့် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်ခြင်းသည် လုပ်ငန်းနယ်ပယ်မှ သိသာထင်ရှားသောအာရုံစိုက်မှုကို ရရှိခဲ့သည်။ စိတ်ဝင်စားပါက နေရောင်ခြည်ဆဲလ်များ၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဆက်စပ် photovoltaic ပစ္စည်းများကို လေ့လာကြည့်ကြပါစို့။

နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်ခြင်းကို ဆိုလာဆဲလ်များဟု မကြာခဏရည်ညွှန်းလေ့ရှိပြီး နေရောင်ခြည်ကို လျှပ်စစ်ဓာတ်အားအဖြစ် တိုက်ရိုက်ပြောင်းလဲပေးသည်။ ဆိုလာပြားများတွင် နေမှဖိုတွန်များသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ အက်တမ်ချည်နှောင်မှုများမှ အီလက်ထရွန်များကို ဖယ်ထုတ်သည်။ ဤအီလက်ထရွန်များကို တူညီသောဦးတည်ချက်သို့ ရွေ့လျားစေရန် အတင်းအကျပ်ခိုင်းစေသောအခါ၊ ၎င်းတို့သည် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို စွမ်းအင်ပေးနိုင်သည် သို့မဟုတ် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားကွန်ရက်ထဲသို့ ပေးပို့နိုင်သည့် လျှပ်စစ်စီးကြောင်းကို ထုတ်ပေးသည်။

ပြင်သစ်ရူပဗေဒပညာရှင် Alexandre-Edmond Becquerel သည် ၁၈၃၉ ခုနှစ်တွင် photovoltaic နည်းပညာကို ပထမဆုံး သီအိုရီထုတ်ဖော်ပြသခဲ့ပြီးနောက်ပိုင်း နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်ခြင်းသည် သုတေသန၏ အဓိကအကြောင်းအရာတစ်ခုဖြစ်လာခဲ့သည်။ ယနေ့ခေတ်တွင် အမေရိကန်၊ ဂျပန်နှင့် ဥရောပမှ အဓိကသုတေသနအဖွဲ့များသည် ၎င်းတို့၏ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်စနစ်များကို စီးပွားဖြစ်ထုတ်လုပ်ခြင်းကို အရှိန်မြှင့်တင်နေသောကြောင့် photovoltaic လုပ်ငန်းအတွက် နိုင်ငံတကာဈေးကွက်သည် ဆက်လက်တိုးချဲ့လျက်ရှိသည်။

ဓာတ်အားသုံး မော်ဂျူးများ

photovoltaic စနစ်များရှိ ပစ္စည်းများသည် ကွဲပြားသော်လည်း မော်ဂျူးအားလုံးသည် ရှေ့ဘက်မှ နောက်ဘက်အထိ အလွှာများစွာဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ နေရောင်ခြည်သည် ဦးစွာ အကာအကွယ်အလွှာ (များသောအားဖြင့် ဖန်) ကို ဖြတ်သန်းပြီးနောက် ပွင့်လင်းမြင်သာသော ထိတွေ့အလွှာမှတစ်ဆင့် ဆဲလ်ထဲသို့ ဝင်ရောက်သွားသည်။ မော်ဂျူး၏အလယ်ဗဟိုတွင် စုပ်ယူပစ္စည်းရှိပြီး ၎င်းသည် လျှပ်စစ်စီးကြောင်းထုတ်လုပ်ရန် ဖိုတွန်များကို ဖမ်းယူသည်။ အသုံးပြုသော semiconductor ပစ္စည်းအမျိုးအစားသည် photovoltaic စနစ်၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များပေါ်တွင် မူတည်သည်။

စုပ်ယူပစ္စည်းအောက်တွင် လျှပ်စစ်ပတ်လမ်းကို ပြီးပြည့်စုံစေသော နောက်ဘက်သတ္တုအလွှာရှိသည်။ သတ္တုအလွှာအောက်တွင် ရေစိုခံပြီး မော်ဂျူးကို အပူဒဏ်ကာကွယ်ပေးသည့် composite film အလွှာရှိသည်။ photovoltaic မော်ဂျူးများကို ဖန်၊ အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ် သို့မဟုတ် ပလတ်စတစ်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အပိုအကာအကွယ်အလွှာတစ်ခု တပ်ဆင်ထားလေ့ရှိသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ

photovoltaic စနစ်များတွင် semiconductor ပစ္စည်းများသည် silicon၊ polycrystalline thin films သို့မဟုတ် monocrystalline thin films ဖြစ်နိုင်သည်။ silicon ပစ္စည်းများတွင် monocrystalline silicon၊ polycrystalline silicon နှင့် amorphous silicon တို့ ပါဝင်သည်။ Monocrystalline silicon သည် ၎င်း၏ပုံမှန်ဖွဲ့စည်းပုံဖြင့် polycrystalline silicon ထက် photovoltaic conversion efficiency ပိုမိုမြင့်မားသည်။

amorphous silicon တွင် silicon အက်တမ်များသည် ကျပန်းဖြန့်ဝေထားသောကြောင့် monocrystalline silicon ထက် ပြောင်းလဲမှုစွမ်းဆောင်ရည် နိမ့်ကျပါသည်။ သို့သော် amorphous silicon သည် photons များကို ပိုမိုဖမ်းယူနိုင်ပြီး germanium သို့မဟုတ် carbon ကဲ့သို့သော ဒြပ်စင်များနှင့် သတ္တုစပ်ခြင်းသည် ဤဂုဏ်သတ္တိကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပါသည်။

ကြေးနီ အင်ဒီယမ် ဒိုင်ဆီလီနိုက် (CIS)၊ ကက်ဒမီယမ် တယ်လူရိုက် (CdTe) နှင့် ပါးလွှာသော ဆီလီကွန်တို့သည် အသုံးများသော polycrystalline ပါးလွှာသော ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ ဂယ်လီယမ် အာဆီနိုက် (GaAs) ကဲ့သို့သော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းများတွင် monocrystalline ဆီလီကွန် ပါးလွှာများ ပါဝင်လေ့ရှိသည်။ ဤပစ္စည်းများကို ပုံဆောင်ခဲဖြစ်ခြင်း၊ band gap အရွယ်အစား၊ စုပ်ယူနိုင်စွမ်းနှင့် လုပ်ဆောင်ရလွယ်ကူခြင်းကဲ့သို့သော ထူးခြားသော ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ် အခြေခံ၍ သီးခြား photovoltaic အသုံးချမှုများအတွက် ရွေးချယ်ထားသည်။