Фотоэлектрик (ФЭ) элементлар гадәттә кремний кебек ярымүткәргеч материаллардан ясала һәм уңай һәм тискәре электродларга ия. Кояш нурларына дучар булганда, фотоэлектрик эффект барлыкка килә, яктылык энергиясен шунда ук туры ток (ДК) рәвешендә электр энергиясенә әйләндерә. Бу электр энергиясен батареяларда сакларга яки төрле энергия ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен инвертор аша алмаш токка (AC) әйләндерергә мөмкин. ФЭ элементлары еш кына модульләр формасында бер-бер артлы яки параллель тоташтырыла, аннары алар зуррак энергия чыгару өчен массивларга җыела.
1. Алюминий арткы өслек кыры (BSF) күзәнәкләре
Структура һәм принцип
BSF элементлары - арткы электрод буларак алюминий каплау куллана торган киң таралган кояш элементлары төре. Бу арткы электр кырын барлыкка китерә, ул электроннарны арткы электродка этәрүгә ярдәм итә, энергияне үзгәртү нәтиҗәлелеген арттыра. Җитештерү процессы кремний өслеген фосфор белән легирлауны N-типтагы өлкә булдыруны, алгы якта P-типтагы өлкә булдыру өчен пленка яки каплау куллануны һәм pn тоташуын булдыруны үз эченә ала. Ниһаять, ток җыю өчен металл челтәрләр өстәлә.
Үсеш тарихы
Беренче тапкыр 1973 елда тәкъдим ителгән BSF күзәнәкләре иң беренче коммерцияләштерелгән кристалл кремний күзәнәк структурасы булган. 2016 елга алар базар өлешендә 90% тан артыкны тәшкил иткән.
Өстенлекләр
BSF күзәнәкләре гадилеге, чыгымнарның нәтиҗәлелеге һәм өлгергән технологияләре белән аерылып тора.
2. PERC күзәнәкләре
Исемнең килеп чыгышы
PERC пассивлаштырылган эмиттер һәм арткы күзәнәк дигәнне аңлата.
Процесс һәм эшчәнлек
Традицион BSF күзәнәкләренә нигезләнеп, PERC технологиясе ике төп адым өсти: арткы өслекне пассивлаштыру һәм лазер белән ачу, нәтиҗәлелекне сизелерлек арттыра. Җитештерү процессына пластиналарны чистарту һәм текстуралаштыру, pn тоташуларын булдыру өчен диффузия, сайлап алучы эмиттерлар өчен лазер белән легирлау, арткы пассивлаштыру, лазер белән бораулау, экран бастыру, блендерлау һәм сынау керә.
Өстенлекләр
PERC күзәнәкләре гади структурага, кыска җитештерү процессына һәм җиһазларның югары өлгерүчәнлегенә ия.
3. Гетероузыш (HJT) күзәнәкләре
Структура
HJT күзәнәкләре - кристалл кремний субстратларын һәм аморф кремний пленкаларын берләштергән гибрид кояш күзәнәкләре. Алар алгы һәм арткы өслекләрне пассивлаштыру өчен гетеротузышта эчке аморф кремний катламнарын кулланалар. Симметрик структурага N-типтагы кристалл кремний субстраты, яктылыкка караган ягында Pi аморф кремний катламы, арткы ягында iN аморф кремний катламы һәм ике якта да үтә күренмәле электродлар һәм шина керә. Болар - бифациаль күзәнәкләр.
Өстенлекләр
HJT күзәнәкләре югары нәтиҗәлелек, түбән таркалу, түбән температура коэффициенты, югары бифациальлек, гадиләштерелгән процесслар һәм нечкә пластиналар өчен яраклылык белән мактана ала.
4. TOPCon күзәнәкләре
Техник принцип
TOPCon (Туннель оксиды пассивлаштырылган контакт) күзәнәкләре сайлап йөртү принцибына нигезләнгән. Аларда ультра-нечкә кремний оксиды катламы һәм арткы өлешендә легирланган кремний катламы бар, алар пассивлаштырылган контакт структурасын формалаштыра. Бу өслек һәм металл контактларының рекомбинациясен киметә, N-PERT күзәнәкләрендә нәтиҗәлелекне арттыру өчен зур потенциал тудыра.
Процесс үзенчәлекләре
TOPCon күзәнәкләре N-типтагы кремний субстратларын кулланалар һәм гамәлдәге P-типтагы җитештерү линияләренә минималь үзгәрешләр кертүне таләп итәләр, мәсәлән, бор диффузиясе һәм юка пленкалы утырту җиһазларын өстәү. Алар арткы тишекләр һәм тигезләү ихтыяҗын бетерәләр, җитештерүне гадиләштерәләр һәм PERC һәм N-PERT күзәнәк процесслары белән туры килүчәнлекне арттыралар.
Өстенлекләр
TOPCon күзәнәкләре түбән таркалу, югары бифациальлек һәм түбән температура коэффициенты күрсәтә, бу кояш электр станцияләрендә бик яхшы нәтиҗәләр бирә.
5. IBC күзәнәкләре
Структура һәм принцип
Ара-тирә арка контактлары (IBC) күзәнәкләре барлык алгы як электрод челтәр сызыкларын арткы якка күчерә, pn тоташуларын һәм металл контактларын ара-тирә санлы схемада урнаштыра. Бу күләгәне киметә һәм яктылыкны сеңдерүне арттыра. Алгы як металл контактлары булмаганда, IBC күзәнәкләре фотон конверсиясе өчен зуррак актив мәйдан бирә.
Технология интеграциясе
IBC күзәнәкләре PERC, TOPCon, HJT һәм перовскит кебек башка технологияләр белән интеграцияләнә ала, "TBC" (TOPCon-IBC) һәм "HBC" (HJT-IBC) кебек алдынгы гибрид күзәнәкләр барлыкка китерә.
Куллану мөмкинлеге
Эстетик яктан матур дизайны белән, IBC күзәнәкләре бинага интеграцияләнгән фотоэлектрик җайланмалар (BIPV) өчен бик яхшы туры килә һәм зур коммерция перспективаларына ия.
Йомгак
Һәр фотоэлемент төре үзенчәлекле өстенлекләр бирә һәм кояш энергиясе технологияләрен алга этәрүдә мөһим роль уйный. Даими инновацияләр ярдәмендә бу технологияләр фотоэлектрик индустриянең үсешенә һәм трансформациясенә этәргеч бирә.
