টপকন সৌর কোষ প্রযুক্তির মূল প্রক্রিয়াগুলোর বিশদ ব্যাখ্যা

১. এসই লেজার ডোপিং প্রক্রিয়া
উদ্দেশ্য:সিলেক্টিভ এমিটার (SE) লেজার ডোপিং প্রক্রিয়া একটি N-টাইপ TOPCon সেলের এমিটার স্তরকে উন্নত করে, যার ফলে সংযোগ রোধ কমে এবং রূপান্তর দক্ষতা বাড়ে।
প্রক্রিয়া:লেজার শক্তি সিলিকন পৃষ্ঠকে গলিয়ে দেয়, যার ফলে বোরোসিলিকেট গ্লাসে থাকা বোরন (B) পরমাণুগুলো দ্রুত সিলিকনে ছড়িয়ে পড়ে এবং একটি উচ্চ মাত্রায় ডোপ করা স্তর তৈরি করে। সংযোগস্থলে উচ্চ ডোপিং সংযোগ রোধ কমিয়ে দেয়, অন্যদিকে অন্যান্য স্থানে হালকা ডোপিং পুনঃসংযোজনজনিত ক্ষতি হ্রাস করে, যা শেষ পর্যন্ত কর্মদক্ষতা ০.২%-০.৪% পর্যন্ত বৃদ্ধি করে।

২. টানেল অক্সাইড এবং পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন স্তরের গঠন
উদ্দেশ্য:সিলিকন ওয়েফারের পেছনের দিকের এই স্তরগুলো একটি প্যাসিভেটেড কন্টাক্ট কাঠামো তৈরি করে, যা পুনঃসংযোজন কমাতে এবং কার্যকারিতা বাড়াতে অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
পদ্ধতি:শিল্পে বহুল ব্যবহৃত প্লাজমা এনহ্যান্সড কেমিক্যাল ভেপার ডিপোজিশন (PECVD) পদ্ধতিতে একটি ১-২ ন্যানোমিটার সিলিকন অক্সাইড ফিল্ম এবং একটি ১০০-১৫০ ন্যানোমিটার ডোপড অ্যামরফাস সিলিকন স্তর জমা হয়, যা অ্যানিলিংয়ের সময় স্ফটিকীভূত হয়ে একটি পলিক্রিস্টালাইন স্তর গঠন করে। PECVD উচ্চ জমা হওয়ার গতি, কম দূষণ এবং স্বল্প ব্যয় প্রদান করে, যা এটিকে ব্যাপক উৎপাদনের জন্য একটি কার্যকর বিকল্প করে তোলে।

৩. অ্যান্টি-রিফ্লেক্টিভ কোটিং (এআরসি)
উদ্দেশ্য:বহুস্তরীয় ডাইইলেকট্রিক কাঠামো (SiOx/SiONx/SiNx) আলোকীয় ক্ষতি হ্রাস করে এবং আলো শোষণ বৃদ্ধি করে, যার ফলে ফটোকারেন্ট ও কর্মদক্ষতা বাড়ে।
অতিরিক্ত সুবিধা:এআরসি পৃষ্ঠতলের পুনঃসংযোজন হার কমিয়ে, কোষের আয়ুষ্কাল বাড়িয়ে এবং পূর্বে জমা হওয়া স্তরগুলোকে (যেমন সম্মুখভাগের অ্যালুমিনা) ক্ষতি ও দূষণ থেকে রক্ষা করার মাধ্যমে পৃষ্ঠতলের প্যাসিভেশন প্রদান করে।

৪. লেজার-প্ররোচিত ফায়ারিং (LIF)
উদ্দেশ্য:স্ক্রিন প্রিন্টিং-এর পরে মেটাল পেস্ট এবং সিলিকনের মধ্যে সংযোগ উন্নত করার জন্য এলআইএফ (LIF) ব্যবহার করা হয়। এই প্রক্রিয়াটি ওহমিক সংযোগ বাড়ায় এবং সংযোগ রোধ কমিয়ে বৈদ্যুতিক আউটপুট উন্নত করে।