1. Proses Doping Laser SE
Tujuan:Proses doping laser Selective Emitter (SE) meningkatkan lapisan emitor pada sel TOPCon tipe N untuk mengurangi resistansi kontak dan meningkatkan efisiensi konversi.
Mekanisme:Energi laser melelehkan permukaan silikon, memungkinkan atom boron (B) dalam kaca borosilikat untuk berdifusi dengan cepat ke dalam silikon, menciptakan lapisan yang sangat ter-doping. Doping tinggi pada titik kontak mengurangi resistansi kontak, sementara doping yang lebih ringan di tempat lain meminimalkan kehilangan rekombinasi, yang pada akhirnya meningkatkan efisiensi sebesar 0,2%-0,4%.
2. Pembentukan Lapisan Oksida Terowongan dan Silikon Polikristalin
Tujuan:Lapisan-lapisan di bagian belakang wafer silikon ini menciptakan struktur kontak yang terpasivasi, yang sangat penting untuk mengurangi rekombinasi dan meningkatkan efisiensi.
Metode:Metode Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) yang lebih disukai industri menghasilkan lapisan film silikon oksida setebal 1-2 nm dan lapisan silikon amorf terdoping setebal 100-150 nm, yang mengkristal selama proses anil untuk membentuk lapisan polikristalin. PECVD menawarkan kecepatan deposisi yang tinggi, pengurangan kontaminasi, dan biaya rendah, menjadikannya pilihan yang efektif untuk produksi massal.
3. Lapisan Anti-Reflektif (ARC)
Tujuan:Struktur dielektrik multi-lapisan (SiOx/SiONx/SiNx) mengurangi kehilangan optik dan meningkatkan penyerapan cahaya, sehingga meningkatkan arus foto dan efisiensi.
Manfaat Tambahan:ARC memberikan pasivasi permukaan dengan mengurangi laju rekombinasi permukaan, memperpanjang masa hidup sel, dan melindungi lapisan yang telah diendapkan sebelumnya (seperti alumina di bagian depan) dari kerusakan dan kontaminasi.
4. Penembakan yang Diinduksi Laser (LIF)
Tujuan:LIF digunakan setelah proses sablon untuk mengoptimalkan kontak antara pasta logam dan silikon. Proses ini meningkatkan kontak ohmik dan mengurangi resistansi kontak, sehingga meningkatkan keluaran listrik.
Dampak:LIF telah terbukti meningkatkan efisiensi konversi sebesar 0,2% atau lebih, menjadikannya tambahan yang berharga untuk manufaktur TOPCon.
Langkah-langkah proses inti ini menyoroti teknik manufaktur canggih dalam teknologi TOPCon, yang memungkinkan efisiensi lebih tinggi dan stabilitas yang lebih baik dalam kinerja sel surya.
