1. Procédé de dopage laser SE
But:Le procédé de dopage laser à émetteur sélectif (SE) améliore la couche émettrice sur une cellule TOPCon de type N pour réduire la résistance de contact et améliorer l'efficacité de conversion.
Mécanisme:L'énergie laser fait fondre la surface du silicium, permettant aux atomes de bore (B) du verre borosilicaté de diffuser rapidement dans le silicium et de créer une couche fortement dopée. Un dopage élevé aux points de contact réduit la résistance de contact, tandis qu'un dopage plus faible ailleurs minimise les pertes par recombinaison, améliorant ainsi l'efficacité de 0,2 % à 0,4 %.
2. Formation de couches d'oxyde tunnel et de silicium polycristallin
But:Ces couches situées sur la face arrière de la plaquette de silicium créent une structure de contact passivée, essentielle pour réduire la recombinaison et améliorer l'efficacité.
Méthode:La méthode de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), privilégiée par l'industrie, consiste à déposer une couche d'oxyde de silicium de 1 à 2 nm et une couche de silicium amorphe dopé de 100 à 150 nm, qui cristallise lors d'un recuit pour former une couche polycristalline. Le PECVD offre une vitesse de dépôt élevée, une contamination réduite et un faible coût, ce qui en fait un choix efficace pour la production en série.
3. Revêtement antireflet (ARC)
But:La structure diélectrique multicouche (SiOx/SiONx/SiNx) réduit les pertes optiques et améliore l'absorption de la lumière, augmentant ainsi le photocourant et l'efficacité.
Avantages supplémentaires :Le revêtement antireflet (ARC) assure la passivation de surface en réduisant les taux de recombinaison de surface, prolongeant ainsi la durée de vie des cellules et protégeant les couches préalablement déposées (telles que l'alumine sur la face avant) contre les dommages et la contamination.
4. Tir induit par laser (LIF)
But:Le procédé LIF est utilisé après la sérigraphie pour optimiser le contact entre la pâte métallique et le silicium. Ce procédé améliore le contact ohmique et réduit la résistance de contact, ce qui augmente le rendement électrique.
Impact:Il a été démontré que le LIF augmente l'efficacité de conversion de 0,2 % ou plus, ce qui en fait un ajout précieux à la fabrication de TOPCon.
Ces étapes clés du processus mettent en évidence les techniques de fabrication avancées de la technologie TOPCon, permettant une efficacité accrue et une stabilité améliorée des performances des cellules solaires.
