1. SE Lazer Doping İşlemi
Amaç:Seçici Emisyon (SE) lazer katkılama işlemi, N tipi TOPCon hücre üzerindeki emisyon katmanını geliştirerek temas direncini azaltır ve dönüşüm verimliliğini artırır.
Mekanizma:Lazer enerjisi silikon yüzeyini eritir ve borosilikat camdaki bor (B) atomlarının silikona hızla yayılmasını sağlayarak yoğun şekilde katkılanmış bir katman oluşturur. Temas noktalarında yüksek katkılama, temas direncini azaltırken, diğer yerlerde daha düşük katkılama rekombinasyon kayıplarını en aza indirir ve sonuç olarak verimliliği %0,2-%0,4 oranında artırır.
2. Tünel Oksit ve Polikristalin Silikon Katmanlarının Oluşumu
Amaç:Silikon levhanın arka yüzündeki bu katmanlar, rekombinasyonu azaltmak ve verimliliği artırmak için hayati önem taşıyan pasifleştirilmiş bir temas yapısı oluşturur.
Yöntem:Endüstri tarafından tercih edilen Plazma Destekli Kimyasal Buhar Biriktirme (PECVD) yöntemi, 1-2 nm kalınlığında silikon oksit film ve 100-150 nm kalınlığında katkılı amorf silikon tabakası biriktirir; bu tabaka, tavlama sırasında kristalleşerek polikristalin bir tabaka oluşturur. PECVD, yüksek biriktirme hızı, düşük kirlenme ve düşük maliyet sunarak seri üretim için etkili bir seçenek haline gelir.
3. Yansıma Önleyici Kaplama (ARC)
Amaç:Çok katmanlı dielektrik yapı (SiOx/SiONx/SiNx), optik kayıpları azaltır ve ışık emilimini artırarak fotoakımı ve verimliliği yükseltir.
Ek Faydalar:ARC, yüzey rekombinasyon oranlarını azaltarak, hücre ömrünü uzatarak ve önceden biriktirilmiş katmanları (örneğin ön taraftaki alümina) hasar ve kirlenmeden koruyarak yüzey pasivasyonu sağlar.
4. Lazerle Tetiklenen Ateşleme (LIF)
Amaç:LIF, metal macunu ile silikon arasındaki teması optimize etmek için serigrafi baskıdan sonra kullanılır. Bu işlem, ohmik teması güçlendirir ve temas direncini azaltarak elektrik çıkışını iyileştirir.
Darbe:LIF'in dönüşüm verimliliğini %0,2 veya daha fazla artırdığı gösterilmiştir; bu da onu TOPCon üretim süreçlerine değerli bir katkı haline getirmektedir.
Bu temel işlem adımları, TOPCon teknolojisindeki gelişmiş üretim tekniklerini vurgulayarak güneş pili performansında daha yüksek verimlilik ve gelişmiş istikrar sağlıyor.
