1. SE Laser Dopingprozess
Zweck:De selektiven Emitter (SE) Laserdotierungsprozess verbessert d'Emitterschicht op enger N-Typ TOPCon Zell fir de Kontaktwidderstand ze reduzéieren an d'Konversiounseffizienz ze verbesseren.
Mechanismus:Laserenergie schmëlzt d'Siliziumuewerfläch, wouduerch d'Boratome (B) am Borsilikatglas sech séier an de Silizium diffundéiere kënnen, wouduerch eng staark dotiert Schicht entsteet. Eng héich Dotierung op de Kontaktpunkten reduzéiert de Kontaktwidderstand, während eng méi liicht Dotierung soss anzwousch d'Rekombinatiounsverloschter miniméiert, wat schlussendlech d'Effizienz ëm 0,2%-0,4% verbessert.
2. Bildung vun Tunneloxid- a polykristalline Siliziumschichten
Zweck:Dës Schichten op der Récksäit vum Siliziumwafer schafen eng passivéiert Kontaktstruktur, déi entscheedend ass fir d'Rekombinatioun ze reduzéieren an d'Effizienz ze verbesseren.
Method:Déi vun der Industrie bevorzugt Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Method deposéiert en 1-2 nm décke Siliziumoxidfilm an eng 100-150 nm dotiert amorph Siliziumschicht, déi beim Glühen kristalliséiert fir eng polykristallin Schicht ze bilden. PECVD bitt eng héich Depositiounsgeschwindegkeet, reduzéiert Kontaminatioun a niddreg Käschten, wat et zu enger effektiver Wiel fir d'Masseproduktioun mécht.
3. Antireflexbeschichtung (ARC)
Zweck:Déi méischichteg dielektresch Struktur (SiOx/SiONx/SiNx) reduzéiert optesch Verloschter a verbessert d'Liichtabsorptioun, wouduerch de Photostroum an d'Effizienz erhéicht ginn.
Zousätzlech Virdeeler:Den ARC suergt fir Uewerflächenpassivatioun andeems en d'Uewerflächenrekombinatiounsraten reduzéiert, d'Liewensdauer vun den Zellen verlängert a virdru ofgesate Schichten (wéi Aluminiumoxid op der Front) viru Schued a Kontaminatioun schützt.
4. Laserinduzéiert Feier (LIF)
Zweck:LIF gëtt nom Siebdruck benotzt fir de Kontakt tëscht der Metallpaste a Silizium ze optimiséieren. Dëse Prozess verbessert den ohmsche Kontakt a reduzéiert de Kontaktwidderstand, wouduerch d'elektresch Leeschtung verbessert gëtt.
Impakt:Et gouf gewisen, datt LIF d'Konversiounseffizienz ëm 0,2% oder méi erhéicht, wat et zu enger wäertvoller Ergänzung fir d'TOPCon-Produktioun mécht.
Dës Kärprozessschrëtt beliichten déi fortgeschratt Produktiounstechniken an der TOPCon-Technologie, wat eng méi héich Effizienz a verbessert Stabilitéit vun der Solarzellenleistung erméiglecht.
