1. Procés de dopatge làser SE
Propòsit:El procés de dopatge làser d'emissor selectiu (SE) millora la capa emissora d'una cel·la TOPCon de tipus N per reduir la resistència de contacte i millorar l'eficiència de conversió.
Mecanisme:L'energia làser fon la superfície de silici, permetent que els àtoms de bor (B) del vidre de borosilicat es difonguin ràpidament al silici, creant una capa fortament dopada. Un dopatge elevat en els punts de contacte redueix la resistència de contacte, mentre que un dopatge més lleuger en altres punts minimitza les pèrdues per recombinació, millorant finalment l'eficiència entre un 0,2% i un 0,4%.
2. Formació de capes d'òxid de túnel i silici policristal·lí
Propòsit:Aquestes capes a la part posterior de l'oblea de silici creen una estructura de contacte passivada, crucial per reduir la recombinació i millorar l'eficiència.
Mètode:El mètode de deposició química en fase vapor millorada per plasma (PECVD), preferit per la indústria, diposita una pel·lícula d'òxid de silici d'1-2 nm i una capa de silici amorf dopat de 100-150 nm, que cristal·litza durant el recuit per formar una capa policristal·lina. El PECVD ofereix una alta velocitat de deposició, una contaminació reduïda i un baix cost, cosa que el converteix en una opció eficaç per a la producció en massa.
3. Revestiment antireflectant (ARC)
Propòsit:L'estructura dielèctrica multicapa (SiOx/SiONx/SiNx) redueix les pèrdues òptiques i millora l'absorció de la llum, augmentant el fotocorrent i l'eficiència.
Beneficis addicionals:L'ARC proporciona passivació superficial reduint les taxes de recombinació superficial, allargant la vida útil de les cèl·lules i protegint les capes dipositades prèviament (com ara l'alúmina a la part frontal) de danys i contaminació.
4. Disparació induïda per làser (LIF)
Propòsit:La LIF s'utilitza després de la serigrafia per optimitzar el contacte entre la pasta metàl·lica i el silici. Aquest procés millora el contacte òhmic i redueix la resistència de contacte, millorant la potència elèctrica.
Impacte:S'ha demostrat que el LIF augmenta l'eficiència de conversió en un 0,2% o més, cosa que el converteix en una valuosa incorporació a la fabricació de TOPCon.
Aquests passos bàsics del procés destaquen les tècniques de fabricació avançades de la tecnologia TOPCon, que permeten una major eficiència i una millor estabilitat en el rendiment de les cèl·lules solars.
