1. SE lézeres doppingolási eljárás
Cél:A szelektív emitter (SE) lézeres adalékolási eljárás javítja az N-típusú TOPCon cella emitterrétegét az érintkezési ellenállás csökkentése és a konverziós hatékonyság javítása érdekében.
Mechanizmus:A lézerenergia megolvasztja a szilícium felületét, lehetővé téve a boroszilikát üvegben lévő bór (B) atomok gyors diffúzióját a szilíciumba, erősen adalékolt réteget hozva létre. A magas adalékolás az érintkezési pontokon csökkenti az érintkezési ellenállást, míg a kisebb adalékolás máshol minimalizálja a rekombinációs veszteségeket, végső soron 0,2-0,4%-kal javítva a hatékonyságot.
2. Alagút-oxid és polikristályos szilíciumrétegek kialakulása
Cél:A szilíciumlap hátoldalán lévő rétegek passzivált érintkezési struktúrát hoznak létre, ami kulcsfontosságú a rekombináció csökkentése és a hatékonyság növelése szempontjából.
Módszer:Az iparág által előnyben részesített plazma-erősítésű kémiai gőzfázisú leválasztási (PECVD) módszer egy 1-2 nm-es szilícium-oxid filmet és egy 100-150 nm-es adalékolt amorf szilícium réteget választ le, amely a hőkezelés során kristályosodik, és polikristályos réteget képez. A PECVD nagy leválasztási sebességet, csökkentett szennyeződést és alacsony költségeket kínál, így hatékony választás a tömegtermeléshez.
3. Tükröződésgátló bevonat (ARC)
Cél:A többrétegű dielektromos szerkezet (SiOx/SiONx/SiNx) csökkenti az optikai veszteségeket és fokozza a fényelnyelést, növelve a fotoáramot és a hatékonyságot.
További előnyök:Az ARC felületi passzivációt biztosít a felületi rekombinációs ráták csökkentésével, a sejtek élettartamának meghosszabbításával és a korábban lerakódott rétegek (például az elülső alumínium-oxid) sérülésektől és szennyeződésektől való védelmével.
4. Lézerrel indukált tüzelés (LIF)
Cél:A LIF eljárást szitanyomás után alkalmazzák a fémpaszta és a szilícium közötti érintkezés optimalizálására. Ez az eljárás fokozza az ohmikus érintkezést és csökkenti az érintkezési ellenállást, ezáltal javítva az elektromos teljesítményt.
Hatás:A LIF kimutathatóan 0,2%-kal vagy annál nagyobb mértékben növeli a konverziós hatékonyságot, így értékes kiegészítője a TOPCon gyártásnak.
Ezek az alapvető folyamatlépések kiemelik a TOPCon technológia fejlett gyártási technikáit, amelyek nagyobb hatékonyságot és fokozott stabilitást tesznek lehetővé a napelemek teljesítményében.
