1. Proceso de dopaxe láser SE
Obxectivo:O proceso de dopaxe láser con emisor selectivo (SE) mellora a capa emisora nunha célula TOPCon de tipo N para reducir a resistencia de contacto e mellorar a eficiencia da conversión.
Mecanismo:A enerxía láser funde a superficie de silicio, o que permite que os átomos de boro (B) do vidro de borosilicato se difundan rapidamente no silicio, creando unha capa fortemente dopada. Un dopaxe elevado nos puntos de contacto reduce a resistencia de contacto, mentres que un dopaxe máis lixeiro noutros puntos minimiza as perdas por recombinación, o que mellora en última instancia a eficiencia entre un 0,2 % e un 0,4 %.
2. Formación de capas de óxido de túnel e silicio policristalino
Obxectivo:Estas capas na parte traseira da oblea de silicio crean unha estrutura de contacto pasivada, crucial para reducir a recombinación e mellorar a eficiencia.
Método:O método de deposición química en fase de vapor mellorada por plasma (PECVD), preferido pola industria, deposita unha película de óxido de silicio de 1-2 nm e unha capa de silicio amorfo dopado de 100-150 nm, que cristaliza durante o recocido para formar unha capa policristalina. A PECVD ofrece unha alta velocidade de deposición, unha contaminación reducida e un baixo custo, o que a converte nunha opción eficaz para a produción en masa.
3. Revestimento antirreflectante (ARC)
Obxectivo:A estrutura dieléctrica multicapa (SiOx/SiONx/SiNx) reduce as perdas ópticas e mellora a absorción da luz, o que aumenta a fotocorrente e a eficiencia.
Vantaxes adicionais:O ARC proporciona pasivación superficial ao reducir as taxas de recombinación superficial, prolongar a vida útil das células e protexer as capas depositadas previamente (como a alúmina na parte frontal) de danos e contaminación.
4. Disparo inducido por láser (LIF)
Obxectivo:A LIF úsase despois da serigrafía para optimizar o contacto entre a pasta metálica e o silicio. Este proceso mellora o contacto óhmico e reduce a resistencia de contacto, o que mellora a saída eléctrica.
Impacto:Demostrouse que o LIF aumenta a eficiencia da conversión nun 0,2 % ou máis, o que o converte nunha valiosa adición á fabricación de TOPCon.
Estes pasos básicos do proceso destacan as técnicas de fabricación avanzadas da tecnoloxía TOPCon, que permiten unha maior eficiencia e unha maior estabilidade no rendemento das células solares.
