1. SE lāzera dopinga process
Mērķis:Selektīvā emitera (SE) lāzera dopinga process uzlabo emitera slāni N tipa TOPCon šūnā, lai samazinātu kontakta pretestību un uzlabotu konversijas efektivitāti.
Mehānisms:Lāzera enerģija izkausē silīcija virsmu, ļaujot bora (B) atomiem borosilikāta stiklā ātri difundēt silīcijā, radot stipri leģētu slāni. Augsts leģējuma līmenis saskares punktos samazina kontakta pretestību, savukārt vieglāks leģējums citur samazina rekombinācijas zudumus, galu galā uzlabojot efektivitāti par 0,2–0,4 %.
2. Tuneļa oksīda un polikristāliskā silīcija slāņu veidošanās
Mērķis:Šie slāņi uz silīcija vafeles aizmugures veido pasivētu kontakta struktūru, kas ir būtiska rekombinācijas samazināšanai un efektivitātes uzlabošanai.
Metode:Nozarē iecienītā plazmas pastiprinātas ķīmiskās tvaiku pārklāšanas (PECVD) metode uzklāj 1–2 nm silīcija oksīda plēvi un 100–150 nm leģētu amorfā silīcija slāni, kas atkvēlināšanas laikā kristalizējas, veidojot polikristālisku slāni. PECVD piedāvā lielu uzklāšanas ātrumu, samazinātu piesārņojumu un zemas izmaksas, padarot to par efektīvu izvēli masveida ražošanai.
3. Pretatstarojošs pārklājums (ARC)
Mērķis:Daudzslāņu dielektriskā struktūra (SiOx/SiONx/SiNx) samazina optiskos zudumus un uzlabo gaismas absorbciju, palielinot fotostrāvu un efektivitāti.
Papildu priekšrocības:ARC nodrošina virsmas pasivāciju, samazinot virsmas rekombinācijas ātrumu, pagarinot šūnu kalpošanas laiku un aizsargājot iepriekš nogulsnētos slāņus (piemēram, alumīnija oksīdu priekšpusē) no bojājumiem un piesārņojuma.
4. Lāzera inducēta šaušana (LIF)
Mērķis:LIF tiek izmantots pēc sietspiedes, lai optimizētu kontaktu starp metāla pastu un silīciju. Šis process uzlabo omisko kontaktu un samazina kontakta pretestību, tādējādi uzlabojot elektrisko jaudu.
Ietekme:Ir pierādīts, ka LIF palielina konversijas efektivitāti par 0,2% vai vairāk, padarot to par vērtīgu papildinājumu TOPCon ražošanā.
Šie galvenie procesa posmi izceļ TOPCon tehnoloģijas progresīvās ražošanas metodes, kas ļauj sasniegt augstāku efektivitāti un uzlabotu saules bateriju veiktspējas stabilitāti.
