1. ຂະບວນການເສີມດ້ວຍເລເຊີ SE
ຈຸດປະສົງ:ຂະບວນການເສີມດ້ວຍເລເຊີ Selective Emitter (SE) ຊ່ວຍເສີມຊັ້ນ emitter ໃນເຊວ TOPCon ປະເພດ N ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ານທານການຕິດຕໍ່ ແລະ ປັບປຸງປະສິດທິພາບການປ່ຽນແປງ.
ກົນໄກ:ພະລັງງານເລເຊີເຮັດໃຫ້ໜ້າດິນຊິລິໂຄນລະລາຍ, ເຮັດໃຫ້ອະຕອມໂບຣອນ (B) ໃນແກ້ວໂບໂຣຊິລິເຄດແຜ່ກະຈາຍເຂົ້າໄປໃນຊິລິໂຄນໄດ້ຢ່າງໄວວາ, ສ້າງຊັ້ນທີ່ມີການເສີມແຮງຫຼາຍ. ການເສີມແຮງສູງຢູ່ຈຸດສຳຜັດຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ານທານຂອງສຳຜັດ, ໃນຂະນະທີ່ການເສີມແຮງທີ່ເບົາກວ່າຢູ່ບ່ອນອື່ນຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການລວມຕົວກັນ, ໃນທີ່ສຸດກໍ່ປັບປຸງປະສິດທິພາບໄດ້ 0.2%-0.4%.
2. ການສ້າງຊັ້ນອຸໂມງອົກໄຊດ໌ ແລະ ຊັ້ນໂພລີຄຣິສຕາລິນຊິລິກອນ
ຈຸດປະສົງ:ຊັ້ນເຫຼົ່ານີ້ຢູ່ດ້ານຫຼັງຂອງແຜ່ນຊິລິໂຄນສ້າງໂຄງສ້າງການຕິດຕໍ່ແບບ active, ເຊິ່ງສຳຄັນຕໍ່ການຫຼຸດຜ່ອນການລວມຕົວກັນ ແລະ ເພີ່ມປະສິດທິພາບ.
ວິທີການ:ວິທີການ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ທີ່ເປັນທີ່ນິຍົມຂອງອຸດສາຫະກໍາຈະຝາກຟິມຊິລິກອນອອກໄຊ 1-2nm ແລະຊັ້ນຊິລິກອນອະຮູບຮ່າງ 100-150nm, ເຊິ່ງຈະເກີດເປັນຜລຶກໃນລະຫວ່າງການອົບແຫ້ງເພື່ອສ້າງເປັນຊັ້ນ polycrystalline. PECVD ໃຫ້ຄວາມໄວໃນການຝາກສູງ, ຫຼຸດຜ່ອນການປົນເປື້ອນ, ແລະຕົ້ນທຶນຕໍ່າ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນທາງເລືອກທີ່ມີປະສິດທິພາບສໍາລັບການຜະລິດຈໍານວນຫຼວງຫຼາຍ.
3. ການເຄືອບປ້ອງກັນການສະທ້ອນແສງ (ARC)
ຈຸດປະສົງ:ໂຄງສ້າງໄດອີເລັກຕຣິກຫຼາຍຊັ້ນ (SiOx/SiONx/SiNx) ຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍທາງແສງ ແລະ ເພີ່ມການດູດຊຶມແສງ, ເພີ່ມປະສິດທິພາບກະແສແສງ ແລະ ປະສິດທິພາບ.
ຜົນປະໂຫຍດເພີ່ມເຕີມ:ARC ໃຫ້ການເຮັດໃຫ້ພື້ນຜິວເປັນຕົວປົກໂດຍການຫຼຸດຜ່ອນອັດຕາການລວມຕົວຂອງພື້ນຜິວ, ຍືດອາຍຸການໃຊ້ງານຂອງເຊວ, ແລະ ປົກປ້ອງຊັ້ນທີ່ຕົກຄ້າງໄວ້ກ່ອນໜ້ານີ້ (ເຊັ່ນ: ອະລູມິນາຢູ່ດ້ານໜ້າ) ຈາກຄວາມເສຍຫາຍ ແລະ ການປົນເປື້ອນ.
4. ການຍິງດ້ວຍເລເຊີ (LIF)
ຈຸດປະສົງ:LIF ຖືກນຳໃຊ້ຫຼັງການພິມໜ້າຈໍເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບການຕິດຕໍ່ລະຫວ່າງໂລຫະປະສົມ ແລະ ຊິລິໂຄນ. ຂະບວນການນີ້ຊ່ວຍເພີ່ມການຕິດຕໍ່ແບບໂອມມິກ ແລະ ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ານທານການຕິດຕໍ່, ປັບປຸງຜົນຜະລິດໄຟຟ້າ.
ຜົນກະທົບ:LIF ໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າເພີ່ມປະສິດທິພາບການປ່ຽນຮູບໄດ້ 0.2% ຫຼືຫຼາຍກວ່ານັ້ນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນການເພີ່ມເຕີມທີ່ມີຄຸນຄ່າໃຫ້ແກ່ການຜະລິດ TOPCon.
ຂັ້ນຕອນຂະບວນການຫຼັກເຫຼົ່ານີ້ເນັ້ນໃຫ້ເຫັນເຖິງເຕັກນິກການຜະລິດທີ່ກ້າວໜ້າໃນເຕັກໂນໂລຊີ TOPCon, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ມີປະສິດທິພາບສູງຂຶ້ນ ແລະ ມີຄວາມໝັ້ນຄົງທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນໃນປະສິດທິພາບຂອງແຜງແສງອາທິດ.
