1. Proseso sa Pag-doping sa SE Laser
Katuyoan:Ang proseso sa Selective Emitter (SE) laser doping nagpalambo sa emitter layer sa usa ka N-type TOPCon cell aron makunhuran ang contact resistance ug mapaayo ang conversion efficiency.
Mekanismo:Ang enerhiya sa laser motunaw sa nawong sa silicon, nga makapahimo sa mga atomo sa boron (B) sa borosilicate glass nga dali nga mokatap ngadto sa silicon, nga makamugna og usa ka layer nga puno sa doping. Ang taas nga doping sa mga contact point makapakunhod sa resistensya sa kontak, samtang ang mas gaan nga doping sa ubang dapit makapakunhod sa mga pagkawala sa recombination, nga sa katapusan makapauswag sa kahusayan sa 0.2%-0.4%.
2. Pagporma sa Tunnel Oxide ug Polycrystalline Silicon Layers
Katuyoan:Kining mga lut-od sa likod nga bahin sa silicon wafer nagmugna og passivated contact structure, nga importante sa pagpakunhod sa recombination ug pagpausbaw sa efficiency.
Pamaagi:Ang gipalabi sa industriya nga Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) nga pamaagi nagdeposito og 1-2nm silicon oxide film ug usa ka 100-150nm doped amorphous silicon layer, nga nag-kristal atol sa annealing aron maporma ang usa ka polycrystalline layer. Ang PECVD nagtanyag og taas nga deposition speed, pagkunhod sa kontaminasyon, ug ubos nga gasto, nga naghimo niini nga usa ka epektibo nga kapilian alang sa mass production.
3. Panapton nga Kontra-Repleksyon (ARC)
Katuyoan:Ang multi-layer dielectric structure (SiOx/SiONx/SiNx) nagpamenos sa optical losses ug nagpalambo sa light absorption, nga nagpalambo sa photocurrent ug efficiency.
Dugang nga mga Benepisyo:Ang ARC naghatag og surface passivation pinaagi sa pagpakunhod sa surface recombination rates, pagpalugway sa lifespan sa cell, ug pagpanalipod sa previous-deposited layers (sama sa alumina sa atubangan) gikan sa kadaot ug kontaminasyon.
4. Pagpabuto nga Gipahinabo sa Laser (LIF)
Katuyoan:Ang LIF gigamit human sa screen printing aron ma-optimize ang kontak tali sa metal paste ug silicon. Kini nga proseso nagpalambo sa ohmic contact ug nagpamenos sa contact resistance, nga nagpauswag sa electrical output.
Epekto:Ang LIF napamatud-an nga makapausbaw sa conversion efficiency og 0.2% o labaw pa, nga naghimo niini nga usa ka bililhong dugang sa paggama sa TOPCon.
Kining kinauyokan nga mga lakang sa proseso nagpasiugda sa mga abante nga teknik sa paggama sa teknolohiya sa TOPCon, nga nagtugot sa mas taas nga kahusayan ug gipauswag nga kalig-on sa performance sa solar cell.
