1. Proses Doping Laser SE
Tujuan:Proses pendopan laser Pemancar Selektif (SE) meningkatkan lapisan pemancar pada sel TOPCon jenis-N untuk mengurangkan rintangan sentuhan dan meningkatkan kecekapan penukaran.
Mekanisme:Tenaga laser mencairkan permukaan silikon, membolehkan atom boron (B) dalam kaca borosilikat meresap dengan cepat ke dalam silikon, menghasilkan lapisan yang didop dengan banyak. Dop yang tinggi pada titik sentuhan mengurangkan rintangan sentuhan, manakala dop yang lebih ringan di tempat lain meminimumkan kehilangan penggabungan semula, akhirnya meningkatkan kecekapan sebanyak 0.2%-0.4%.
2. Pembentukan Terowong Oksida dan Lapisan Silikon Polikristalin
Tujuan:Lapisan-lapisan pada bahagian belakang wafer silikon ini menghasilkan struktur sentuhan pasif, penting untuk mengurangkan penggabungan semula dan meningkatkan kecekapan.
Kaedah:Kaedah Pemendapan Wap Kimia Dipertingkat Plasma (PECVD) yang menjadi pilihan industri memendapkan filem silikon oksida 1-2nm dan lapisan silikon amorfus yang didop 100-150nm, yang menghablur semasa penyepuhlindapan untuk membentuk lapisan polikristalin. PECVD menawarkan kelajuan pemendapan yang tinggi, pencemaran yang berkurangan dan kos yang rendah, menjadikannya pilihan yang berkesan untuk pengeluaran besar-besaran.
3. Salutan Anti-Reflektif (ARC)
Tujuan:Struktur dielektrik berbilang lapisan (SiOx/SiONx/SiNx) mengurangkan kehilangan optik dan meningkatkan penyerapan cahaya, sekali gus meningkatkan fotoarus dan kecekapan.
Faedah Tambahan:ARC menyediakan pasifasi permukaan dengan mengurangkan kadar penggabungan semula permukaan, memanjangkan jangka hayat sel dan melindungi lapisan yang telah dimendapkan sebelum ini (seperti alumina di bahagian hadapan) daripada kerosakan dan pencemaran.
4. Penembakan Teraruh Laser (LIF)
Tujuan:LIF digunakan selepas percetakan skrin untuk mengoptimumkan sentuhan antara pes logam dan silikon. Proses ini meningkatkan sentuhan ohm dan mengurangkan rintangan sentuhan, sekali gus meningkatkan output elektrik.
Impak:LIF telah terbukti meningkatkan kecekapan penukaran sebanyak 0.2% atau lebih, menjadikannya tambahan yang berharga kepada pembuatan TOPCon.
Langkah-langkah proses teras ini mengetengahkan teknik pembuatan termaju dalam teknologi TOPCon, yang membolehkan kecekapan yang lebih tinggi dan kestabilan yang dipertingkatkan dalam prestasi sel solar.
