1. Proseso ng Pagdodope gamit ang SE Laser
Layunin:Pinahuhusay ng proseso ng Selective Emitter (SE) laser doping ang emitter layer sa isang N-type TOPCon cell upang mabawasan ang contact resistance at mapabuti ang conversion efficiency.
Mekanismo:Tinutunaw ng enerhiya ng laser ang ibabaw ng silicon, na nagbibigay-daan sa mga atomo ng boron (B) sa borosilicate glass na mabilis na kumalat sa silicon, na lumilikha ng isang layer na may mabigat na doping. Binabawasan ng mataas na doping sa mga contact point ang contact resistance, habang ang mas magaan na doping sa ibang lugar ay nagpapaliit sa mga recombination losses, na sa huli ay nagpapabuti sa kahusayan ng 0.2%-0.4%.
2. Pagbuo ng mga Layer ng Tunnel Oxide at Polycrystalline Silicon
Layunin:Ang mga patong na ito sa likuran ng silicon wafer ay lumilikha ng isang passivated contact structure, na mahalaga para sa pagbabawas ng recombination at pagpapahusay ng kahusayan.
Paraan:Ang Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) na pamamaraan na ginusto ng industriya ay nagdedeposito ng 1-2nm silicon oxide film at isang 100-150nm doped amorphous silicon layer, na nagkikristal habang ini-annealing upang bumuo ng isang polycrystalline layer. Nag-aalok ang PECVD ng mataas na bilis ng deposition, nabawasang kontaminasyon, at mababang gastos, kaya isa itong epektibong pagpipilian para sa malawakang produksyon.
3. Patong na Pang-anti-Repleksyon (ARC)
Layunin:Ang multi-layer dielectric structure (SiOx/SiONx/SiNx) ay nagbabawas ng optical losses at nagpapahusay ng light absorption, na nagpapalakas ng photocurrent at efficiency.
Mga Karagdagang Benepisyo:Ang ARC ay nagbibigay ng surface passivation sa pamamagitan ng pagbabawas ng surface recombination rates, pagpapahaba ng lifespan ng cell, at pagprotekta sa mga naunang idinepositong layer (tulad ng alumina sa harap) mula sa pinsala at kontaminasyon.
4. Pagpapaputok Gamit ang Laser (LIF)
Layunin:Ginagamit ang LIF pagkatapos ng screen printing upang ma-optimize ang kontak sa pagitan ng metal paste at silicon. Pinahuhusay ng prosesong ito ang ohmic contact at binabawasan ang contact resistance, na nagpapabuti sa electrical output.
Epekto:Naipakita na ang LIF ay nagpapataas ng kahusayan sa conversion ng 0.2% o higit pa, kaya isa itong mahalagang karagdagan sa pagmamanupaktura ng TOPCon.
Itinatampok ng mga pangunahing hakbang na ito sa proseso ang mga advanced na pamamaraan sa pagmamanupaktura sa teknolohiya ng TOPCon, na nagbibigay-daan para sa mas mataas na kahusayan at pinahusay na katatagan sa pagganap ng solar cell.
