Eksplikasyon detaye sou pwosesis prensipal yo nan teknoloji selil solè TOPCon an

1. Pwosesis Dopaj Lazè SE
Objektif:Pwosesis dopaj lazè Selektif Emetè (SE) a amelyore kouch emetè a sou yon selil TOPCon tip N pou diminye rezistans kontak epi amelyore efikasite konvèsyon an.
Mekanis:Enèji lazè a fonn sifas Silisyòm nan, sa ki pèmèt atòm bor (B) ki nan vè borosilikat la difize rapidman nan Silisyòm nan, sa ki kreye yon kouch ki gen anpil dopan. Yon dopan ki wo nan pwen kontak yo diminye rezistans kontak la, alòske yon dopan ki pi lejè nan lòt pwen yo minimize pèt rekombinasyon, sa ki finalman amelyore efikasite a pa 0.2%-0.4%.

2. Fòmasyon kouch oksid tinèl ak kouch silikon polikristalin
Objektif:Kouch sa yo sou dèyè wafer Silisyòm lan kreye yon estrikti kontak pasive, ki enpòtan pou diminye rekombinasyon ak amelyore efikasite.
Metòd:Metòd Depozisyon Vapè Chimik Amelyore pa Plasma (PECVD) ki pi pito nan endistri a depoze yon fim oksid Silisyòm 1-2nm ak yon kouch Silisyòm amorf dope 100-150nm, ki kristalize pandan rekui pou fòme yon kouch polikristalin. PECVD ofri yon vitès depozisyon ki wo, kontaminasyon redwi, ak yon pri ki ba, sa ki fè li yon chwa efikas pou pwodiksyon an mas.

3. Kouch Anti-Reflektif (ARC)
Objektif:Estrikti dyelèktrik milti-kouch la (SiOx/SiONx/SiNx) diminye pèt optik epi amelyore absòpsyon limyè, sa ki ogmante fotokouran ak efikasite.
Benefis adisyonèl:ARC a bay pasivasyon sifas la lè li diminye pousantaj rekombinasyon sifas la, li pwolonje dire lavi selil la, epi li pwoteje kouch ki te depoze anvan yo (tankou aliminyòm sou devan an) kont domaj ak kontaminasyon.

4. Tire pwovoke pa lazè (LIF)
Objektif:Yo itilize LIF apre enprime ekran pou optimize kontak ant pat metal la ak silikon an. Pwosesis sa a amelyore kontak ohmik la epi li diminye rezistans kontak la, sa ki amelyore pwodiksyon elektrik la.