1. SE لیزر ڈوپنگ کا عمل
مقصد:سلیکٹیو ایمیٹر (SE) لیزر ڈوپنگ کا عمل N-type TOPCon سیل پر ایمیٹر پرت کو بڑھاتا ہے تاکہ رابطے کی مزاحمت کو کم کیا جا سکے اور تبادلوں کی کارکردگی کو بہتر بنایا جا سکے۔
میکانزم:لیزر انرجی سلیکون کی سطح کو پگھلا دیتی ہے، جس سے بوروسیلیٹ شیشے میں موجود بوران (B) ایٹموں کو سلیکون میں تیزی سے پھیلنے کے قابل بناتا ہے، جس سے ایک بھاری ڈوپڈ پرت بنتی ہے۔ رابطہ پوائنٹس پر زیادہ ڈوپنگ رابطے کی مزاحمت کو کم کرتی ہے، جبکہ ہلکی ڈوپنگ دوسری جگہوں پر دوبارہ گنتی کے نقصانات کو کم کرتی ہے، بالآخر 0.2%-0.4% تک کارکردگی کو بہتر بناتی ہے۔
2. ٹنل آکسائیڈ اور پولی کرسٹل لائن سلیکون پرتوں کی تشکیل
مقصد:سلیکون ویفر کے پچھلے حصے پر یہ تہیں ایک غیر فعال رابطے کا ڈھانچہ بناتی ہیں، جو کہ دوبارہ ملاپ کو کم کرنے اور کارکردگی کو بڑھانے کے لیے اہم ہے۔
طریقہ:صنعت کی طرف سے ترجیحی پلازما اینہانسڈ کیمیکل ویپر ڈیپوزیشن (PECVD) طریقہ ایک 1-2nm سلکان آکسائیڈ فلم اور 100-150nm ڈوپڈ امورفوس سلکان پرت جمع کرتا ہے، جو اینیلنگ کے دوران ایک پولی کرسٹل لائن پرت بنانے کے لیے کرسٹلائز کرتا ہے۔ PECVD زیادہ جمع کرنے کی رفتار، کم آلودگی، اور کم قیمت پیش کرتا ہے، جو اسے بڑے پیمانے پر پیداوار کے لیے ایک مؤثر انتخاب بناتا ہے۔
3. اینٹی ریفلیکٹیو کوٹنگ (ARC)
مقصد:ملٹی لیئر ڈائی الیکٹرک ڈھانچہ (SiOx/SiONx/SiNx) آپٹیکل نقصانات کو کم کرتا ہے اور روشنی کے جذب کو بڑھاتا ہے، فوٹو کرنٹ اور کارکردگی کو بڑھاتا ہے۔
اضافی فوائد:اے آر سی سطح کی بحالی کی شرح کو کم کر کے، خلیے کی عمر بڑھا کر، اور پہلے سے جمع شدہ تہوں (جیسے سامنے کی طرف ایلومینا) کو نقصان اور آلودگی سے بچا کر سطح کو منتقل کرتا ہے۔
4. لیزر انڈسڈ فائرنگ (LIF)
مقصد:دھاتی پیسٹ اور سلکان کے درمیان رابطے کو بہتر بنانے کے لیے LIF پوسٹ اسکرین پرنٹنگ کا استعمال کیا جاتا ہے۔ یہ عمل اوہمک رابطے کو بڑھاتا ہے اور رابطے کی مزاحمت کو کم کرتا ہے، بجلی کی پیداوار کو بہتر بناتا ہے۔
اثر:LIF کو تبادلوں کی کارکردگی میں 0.2% یا اس سے زیادہ اضافہ کرتے ہوئے دکھایا گیا ہے، جو اسے TOPCon مینوفیکچرنگ میں ایک قیمتی اضافہ بناتا ہے۔
یہ بنیادی عمل کے اقدامات TOPCon ٹیکنالوجی میں مینوفیکچرنگ کی جدید تکنیکوں کو نمایاں کرتے ہیں، جو سولر سیل کی کارکردگی میں اعلیٰ کارکردگی اور بہتر استحکام کی اجازت دیتے ہیں۔
