1. Proses Doping Laser SE
Tujuan:Proses doping laser Selective Emitter (SE) ningkatake lapisan emitor ing sel TOPCon tipe-N kanggo nyuda resistensi kontak lan ningkatake efisiensi konversi.
Mekanisme:Energi laser nglelehaké lumah silikon, saéngga atom boron (B) ing kaca borosilikat bisa nyebar kanthi cepet menyang silikon, saéngga nggawé lapisan sing didoping banget. Doping sing dhuwur ing titik kontak ngurangi resistensi kontak, déné doping sing luwih entheng ing papan liya nyuda kerugian rekombinasi, sing pungkasane nambah efisiensi nganti 0,2%-0,4%.
2. Pembentukan Oksida Terowongan lan Lapisan Silikon Polikristalin
Tujuan:Lapisan-lapisan ing sisih mburi wafer silikon iki nggawe struktur kontak pasif, penting banget kanggo ngurangi rekombinasi lan ningkatake efisiensi.
Cara:Metode Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) sing disenengi industri ngendapke film silikon oksida 1-2nm lan lapisan silikon amorf sing didoping 100-150nm, sing ngristal sajrone annealing kanggo mbentuk lapisan polikristalin. PECVD nawakake kecepatan deposisi sing dhuwur, kontaminasi sing luwih murah, lan biaya sing murah, saengga dadi pilihan sing efektif kanggo produksi massal.
3. Lapisan Anti-Reflektif (ARC)
Tujuan:Struktur dielektrik multi-lapisan (SiOx/SiONx/SiNx) nyuda kerugian optik lan nambah panyerepan cahya, ningkatake arus foto lan efisiensi.
Keuntungan Tambahan:ARC nyedhiyakake pasivasi permukaan kanthi nyuda tingkat rekombinasi permukaan, ngluwihi umur sel, lan nglindhungi lapisan sing wis diendapke sadurunge (kayata alumina ing ngarep) saka kerusakan lan kontaminasi.
4. Tembakan sing Disebabake Laser (LIF)
Tujuan:LIF digunakake sawise sablon kanggo ngoptimalake kontak antarane pasta logam lan silikon. Proses iki nambah kontak ohmik lan nyuda resistensi kontak, saengga ningkatake output listrik.
Dampak:LIF wis kabukten bisa nambah efisiensi konversi nganti 0,2% utawa luwih, saengga dadi tambahan sing penting kanggo manufaktur TOPCon.
Langkah-langkah proses inti iki nyoroti teknik manufaktur canggih ing teknologi TOPCon, sing ngidini efisiensi sing luwih dhuwur lan stabilitas sing luwih apik ing kinerja sel surya.
