१. एसई लेझर डोपिंग प्रक्रिया
उद्देश:सिलेक्टिव्ह एमिटर (SE) लेझर डोपिंग प्रक्रिया N-टाइप TOPCon सेलवरील एमिटर लेयरला वर्धित करते, ज्यामुळे संपर्क प्रतिरोध कमी होतो आणि रूपांतरण कार्यक्षमता सुधारते.
कार्यप्रणाली:लेझर ऊर्जा सिलिकॉनचा पृष्ठभाग वितळवते, ज्यामुळे बोरोसिलिकेट काचेतील बोरॉन (B) अणू सिलिकॉनमध्ये वेगाने पसरतात आणि एक उच्च डोपिंगचा थर तयार होतो. संपर्क बिंदूंवर उच्च डोपिंगमुळे संपर्क प्रतिरोध कमी होतो, तर इतर ठिकाणी कमी डोपिंगमुळे पुनर्संयोजन नुकसान कमी होते, ज्यामुळे अखेरीस कार्यक्षमता ०.२% ते ०.४% ने सुधारते.
२. टनेल ऑक्साइड आणि पॉलिक्रिस्टलाइन सिलिकॉन थरांची निर्मिती
उद्देश:सिलिकॉन वेफरच्या मागील बाजूस असलेले हे थर एक पॅसिव्हेटेड कॉन्टॅक्ट स्ट्रक्चर तयार करतात, जे रिकॉम्बिनेशन कमी करण्यासाठी आणि कार्यक्षमता वाढवण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे.
पद्धत:उद्योगक्षेत्रात पसंतीची असलेली प्लाझ्मा एनहान्स्ड केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (PECVD) पद्धत १-२ नॅनोमीटर जाडीचा सिलिकॉन ऑक्साइड थर आणि १००-१५० नॅनोमीटर जाडीचा डोप्ड अमॉर्फस सिलिकॉनचा थर जमा करते, जो ॲनीलिंग प्रक्रियेदरम्यान स्फटिकीकरण होऊन एक पॉलिक्रिस्टलाइन थर तयार करतो. PECVD पद्धतीमुळे डिपॉझिशनचा वेग जास्त असतो, प्रदूषण कमी होते आणि खर्च कमी येतो, ज्यामुळे मोठ्या प्रमाणावरील उत्पादनासाठी हा एक प्रभावी पर्याय ठरतो.
३. अँटी-रिफ्लेक्टिव्ह कोटिंग (एआरसी)
उद्देश:बहु-स्तरीय डायलेक्ट्रिक संरचना (SiOx/SiONx/SiNx) ऑप्टिकल नुकसान कमी करते आणि प्रकाश शोषण वाढवते, ज्यामुळे फोटोकरंट आणि कार्यक्षमता वाढते.
अतिरिक्त फायदे:एआरसी (ARC) पृष्ठभागावरील पुनर्संयोजन दर कमी करून, सेलचे आयुष्य वाढवून आणि पूर्वी जमा केलेल्या थरांना (जसे की पुढील बाजूस असलेले ॲल्युमिना) नुकसान आणि दूषित होण्यापासून वाचवून पृष्ठभागाचे पॅसिव्हेशन करते.
४. लेझर-प्रेरित फायरिंग (LIF)
उद्देश:स्क्रीन प्रिंटिंगनंतर मेटल पेस्ट आणि सिलिकॉनमधील संपर्क ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी LIF चा वापर केला जातो. ही प्रक्रिया ओमिक संपर्क वाढवते आणि संपर्क प्रतिरोध कमी करते, ज्यामुळे विद्युत आउटपुट सुधारते.
परिणाम:LIF मुळे रूपांतरण कार्यक्षमता 0.2% किंवा त्याहून अधिक वाढते असे दिसून आले आहे, ज्यामुळे ते TOPCon उत्पादनामध्ये एक मौल्यवान भर ठरते.
या मुख्य प्रक्रिया टप्प्यांमुळे टॉपकॉन तंत्रज्ञानातील प्रगत उत्पादन तंत्रांवर प्रकाश पडतो, ज्यामुळे सौर सेलच्या कार्यप्रदर्शनात उच्च कार्यक्षमता आणि वर्धित स्थिरता प्राप्त होते.
