Explicație detaliată a proceselor de bază din tehnologia celulelor solare TOPCon

1. Procesul de dopare cu laser SE
Scop:Procesul de dopare cu laser cu emitor selectiv (SE) îmbunătățește stratul de emitor de pe o celulă TOPCon de tip N pentru a reduce rezistența de contact și a îmbunătăți eficiența conversiei.
Mecanism:Energia laser topește suprafața de siliciu, permițând atomilor de bor (B) din sticla borosilicată să difuzeze rapid în siliciu, creând un strat puternic dopat. Dopajul ridicat în punctele de contact reduce rezistența de contact, în timp ce dopajul mai ușor în alte puncte minimizează pierderile prin recombinare, îmbunătățind în cele din urmă eficiența cu 0,2%-0,4%.

2. Formarea straturilor de oxid de tunel și siliciu policristalin
Scop:Aceste straturi de pe partea din spate a plachetei de siliciu creează o structură de contact pasivată, crucială pentru reducerea recombinării și creșterea eficienței.
Metodă:Metoda de depunere chimică în fază de vapori îmbunătățită prin plasmă (PECVD), preferată în industrie, depune o peliculă de oxid de siliciu de 1-2 nm și un strat de siliciu amorf dopat de 100-150 nm, care cristalizează în timpul recoacerii pentru a forma un strat policristalin. PECVD oferă o viteză mare de depunere, contaminare redusă și cost redus, ceea ce o face o alegere eficientă pentru producția de masă.

3. Strat antireflexiv (ARC)
Scop:Structura dielectrică multistrat (SiOx/SiONx/SiNx) reduce pierderile optice și îmbunătățește absorbția luminii, sporind fotocurentul și eficiența.
Beneficii suplimentare:ARC asigură pasivizarea suprafeței prin reducerea ratelor de recombinare a suprafeței, prelungirea duratei de viață a celulelor și protejarea straturilor depuse anterior (cum ar fi alumina de pe partea frontală) de deteriorare și contaminare.

4. Ardere indusă de laser (LIF)
Scop:LIF este utilizată după serigrafie pentru a optimiza contactul dintre pasta metalică și siliciu. Acest proces îmbunătățește contactul ohmic și reduce rezistența de contact, îmbunătățind puterea electrică.