၁။ SE လေဆာ ဒိုပင်း လုပ်ငန်းစဉ်
ရည်ရွယ်ချက်:Selective Emitter (SE) လေဆာ doping လုပ်ငန်းစဉ်သည် N-type TOPCon ဆဲလ်ပေါ်ရှိ emitter အလွှာကို မြှင့်တင်ပေးသောကြောင့် contact resistance ကို လျှော့ချပေးပြီး conversion efficiency ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
ယန္တရား:လေဆာစွမ်းအင်သည် ဆီလီကွန်မျက်နှာပြင်ကို အရည်ပျော်စေပြီး ဘိုရိုဆီလီကိတ်ဖန်ရှိ ဘိုရွန် (B) အက်တမ်များကို ဆီလီကွန်ထဲသို့ လျင်မြန်စွာပျံ့နှံ့စေပြီး အရောအနှောများစွာပါဝင်သော အလွှာကို ဖန်တီးပေးသည်။ ထိတွေ့မှုနေရာများတွင် အရောအနှောများခြင်းသည် ထိတွေ့မှုခုခံမှုကို လျော့ကျစေပြီး အခြားနေရာများတွင် အရောအနှောပေါ့ပါးခြင်းသည် ပြန်လည်ပေါင်းစပ်မှုဆုံးရှုံးမှုများကို လျော့နည်းစေပြီး နောက်ဆုံးတွင် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ၀.၂% မှ ၀.၄% အထိ တိုးတက်စေသည်။
၂။ ဥမင်လိုဏ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် ပိုလီခရစ္စတယ်လင်း ဆီလီကွန် အလွှာများ ဖွဲ့စည်းခြင်း
ရည်ရွယ်ချက်:ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ နောက်ကျောဘက်ရှိ ဤအလွှာများသည် ပေါင်းစပ်မှုကို လျှော့ချရန်နှင့် ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အလွန်အရေးကြီးသော ထိတွေ့မှုဖွဲ့စည်းပုံကို ဖန်တီးပေးသည်။
နည်းလမ်း:လုပ်ငန်းနယ်ပယ်တွင် နှစ်သက်သော Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) နည်းလမ်းသည် 1-2nm silicon oxide film နှင့် 100-150nm doped amorphous silicon အလွှာကို စုပုံစေပြီး၊ အပူပေးနေစဉ်အတွင်း ပုံဆောင်ခဲများအဖြစ် ပြောင်းလဲကာ polycrystalline အလွှာတစ်ခု ဖန်တီးပေးပါသည်။ PECVD သည် မြင့်မားသော အနည်ကျမှုနှုန်း၊ ညစ်ညမ်းမှု လျော့နည်းစေခြင်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ် နည်းပါးခြင်းတို့ကို ပေးစွမ်းသောကြောင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ထိရောက်သော ရွေးချယ်မှုတစ်ခု ဖြစ်စေပါသည်။
၃။ ရောင်ပြန်ဟပ်မှု ဆန့်ကျင်သည့် အလွှာ (ARC)
ရည်ရွယ်ချက်:အလွှာပေါင်းစုံ dielectric ဖွဲ့စည်းပုံ (SiOx/SiONx/SiNx) သည် optical loss များကို လျော့နည်းစေပြီး အလင်းစုပ်ယူမှုကို မြှင့်တင်ပေးကာ photocurrent နှင့် efficiency ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
အပိုဆောင်း အကျိုးကျေးဇူးများ-ARC သည် မျက်နှာပြင်ပြန်လည်ပေါင်းစပ်မှုနှုန်းကို လျှော့ချပေးခြင်း၊ ဆဲလ်သက်တမ်းကို တိုးချဲ့ပေးခြင်းနှင့် ယခင်အနည်ကျအလွှာများ (ရှေ့ဘက်ရှိ အလူမီနာကဲ့သို့) ကို ပျက်စီးမှုနှင့် ညစ်ညမ်းမှုမှ ကာကွယ်ပေးခြင်းဖြင့် မျက်နှာပြင် passivation ကို ပေးစွမ်းသည်။
၄။ လေဆာဖြင့် ပစ်ခတ်ခြင်း (LIF)
ရည်ရွယ်ချက်:LIF ကို သတ္တုအနှစ်နှင့် ဆီလီကွန်ကြား ထိတွေ့မှုကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ရန်အတွက် မျက်နှာပြင်ပုံနှိပ်ခြင်းပြီးနောက် အသုံးပြုသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ohmic contact ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး contact resistance ကို လျှော့ချပေးကာ လျှပ်စစ်ထွက်ရှိမှုကို တိုးတက်စေသည်။
သက်ရောက်မှု:LIF သည် ပြောင်းလဲမှုထိရောက်မှုကို ၀.၂% သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပို၍ မြှင့်တင်ပေးသည်ကို ပြသထားပြီးဖြစ်ပြီး TOPCon ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အဖိုးတန်ဖြည့်စွက်ချက်တစ်ခု ဖြစ်စေသည်။
ဤအဓိကလုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်များသည် TOPCon နည်းပညာရှိ အဆင့်မြင့်ထုတ်လုပ်မှုနည်းစနစ်များကို မီးမောင်းထိုးပြပြီး ဆိုလာဆဲလ်စွမ်းဆောင်ရည်တွင် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
